[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201310119065.3 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103358410A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 中田和成;寺崎芳明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，利用保持带将在主面的中央部设置有多个半导体装置并且在所述主面的外周部设置有环状加强部的晶片安装于切割架，其特征在于，具备：
将所述保持带粘贴于所述晶片的所述主面的工序；以及
通过将所述保持带加热至所述保持带的熔点的0.6倍以上，从而沿着所述环状加强部的阶梯差粘贴所述保持带的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，通过灯加热来加热所述保持带。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用1000Pa以下的真空和大气的压差将所述保持带粘贴于所述晶片的所述主面。
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