[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及利用保持带将在主面的中央部设置有多个半导体装置并且在主面的外周部设置有环状加强部的晶片安装于切割架（dicing frame）的方法，特别涉及能够对环状加强部的阶梯差无气泡地粘贴保持带的半导体装置的制造方法。

背景技术

在LSI中，通过三维安装等进行封装的高密度化，薄晶片化发展到在工艺完成时的晶片厚度为10μm左右。

此外，IGBT（绝缘栅型双极晶体管）或MOSFET（MOS型场效应晶体管）等的功率器件作为工业用电动机或汽车用电动机等的变换器电路、大容量服务器的电源装置以及不间断电源装置等的半导体开关而被广泛使用。在功率器件的制造中，为了改善导通特性等的通电性能，将半导体基板加工得较薄。

近年来，为了改善成本方面、特性方面，使用通过FZ（Floating Zone，浮区）法制作的使晶片薄型化到50μm左右的极薄晶片来制造半导体装置。

通常，在晶片的薄型化中，进行利用背面研磨（back grinding）或抛光的机械研磨以及用于除去在机械研磨中产生的加工变形的湿法蚀刻或干法蚀刻。然后，在背面侧通过离子注入或热处理形成扩散层，通过溅射法等形成电极。

在这样的状况中，在晶片的背面加工时的晶片破裂的发生频度变高。因此，提出了将晶片外周部按其原样较厚地保留来作为环状加强部（加强筋（rib）），而仅将晶片中心部加工得较薄的加工方法（例如，参照专利文献1）。通过使用这样的带有加强筋的晶片，从而晶片的翘曲被大幅度地缓和，在处理装置中的晶片输送变得容易，并且，晶片的强度大幅度地提高，在操作时能够减轻晶片的破裂或缺损。

在将芯片单片化时，利用保持带将晶片安装于切割架，之后，利用刀片或激光进行切割。此时，若未对环状加强部的阶梯差充分地粘贴保持片材，则在切割时芯片飞溅，由于飞溅的芯片导致刀片的破损等，使半导体装置的生产变得困难。

为了解决该问题，提出了如下方法：利用与环状加强部的内径匹配地精密调整了的环状凸部来与带有加强筋的晶片的形状匹配地将保持带按压变形，从而使对阶梯差部的粘附性提高（例如，参照专利文献2）。此外，也提出了通过利用压缩空气的导入来将保持带按压变形而使对阶梯差的粘附性提高的方法（例如，参照专利文献3）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007–19379号公报；

专利文献2：日本特开2008–42016号公报；

专利文献3：日本特开2010–118584号公报。

发明要解决的课题

在利用环状凸部与加强筋内径匹配地压入保持带的方法中，由于在研削时的加强筋宽度的偏差或压入位置的偏差而导致存在按压时晶片破裂的问题、在保持带中产生气泡的问题。

在利用压缩空气的导入按压保持带的方法中，由于保持带的刚性导致不能通过压缩空气得到充分的按压，存在保持带中产生气泡的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述那样的课题而完成的，其目的在于，得到一种能够对环状加强部的阶梯差无气泡地粘贴保持带的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明提供一种半导体装置的制造方法，利用保持带将在主面的中央部设置有多个半导体装置并且在所述主面的外周部设置有环状加强部的晶片安装于切割架，其特征在于，具备：将所述保持带粘贴于所述晶片的所述主面的工序；以及通过将所述保持带加热至所述保持带的熔点的0.6倍以上，从而沿着所述环状加强部的阶梯差粘贴所述保持带的工序。

发明效果

利用本发明，能够对环状加强部的阶梯差无气泡地粘贴保持带。

附图说明

图1是表示本发明实施方式1的安装装置的俯视图。

图2是本发明实施方式1的半导体装置的制造方法的流程图。

图3是表示本发明实施方式1的晶片安装处理部的剖视图。

图4是表示本发明实施方式1的晶片安装处理部的剖视图。

图5是表示本发明实施方式1的晶片安装处理部的剖视图。

图6是表示本发明实施方式1的晶片安装处理部的剖视图。

图7是表示本发明实施方式1的保持带的紧贴不良区域的宽度和加热温度的关系的图。

图8是用保持带的熔点将图7的加热温度进行标准化后的图。

图9是表示本发明实施方式2的晶片安装处理部的剖视图。

图10是表示本发明实施方式3的晶片安装处理部的剖视图。

具体实施方式