[发明专利]显示面板以及其包含的薄膜晶体管基板的制备方法

权利要求书

1.一种显示面板，包括一薄膜晶体管基板，其中，该薄膜晶体管基板包括：

一基板；

一第一金属层，形成于该基板上；

一绝缘层，形成于该基板以及该第一金属层上；

一多晶硅层，形成于该绝缘层上；

一第二金属层，形成于该多晶硅层及该绝缘层上；

一金属薄膜层，形成于该第二金属层与该多晶硅层之间；以及

一金属硅化物，形成于该多晶硅层与该金属薄膜层之间。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中该金属薄膜层是至少一选自铝、镓、铟、铊、及其合金所组成的群组。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其中该金属薄膜层的厚度为1-500nm。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其中该金属薄膜层的厚度为510nm。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其中该第二金属层包括一源极及一漏极，对应于该源极的该金属硅化物与对应该漏极的该金属硅化物间的距离介于1μm至20μm之间。

6.一种薄膜晶体管基板的制备方法，该方法至少包括：

(A)提供一基板；其上方依序形成一第一金属层、一绝缘层、以及一多晶硅层，其中，该第一金属层设于该基板上；该绝缘层设于该基板及该第一金属层上；以及该多晶硅层设于该绝缘层上；

(B)于该绝缘层及该多晶硅层上形成一金属薄膜层；以及

(C)对该薄膜晶体管基板进行一退火工艺，使该金属薄膜层与该多晶硅层反应形成一金属硅化物。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其中该金属薄膜层是至少一选自铝、镓、铟、铊、及其合金所组成的群组。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制备方法，还包括形成一第二金属层于该金属薄膜层上。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其中该金属薄膜层的厚度为1-500nm。

10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其中该退火工艺温度为300-400℃。