[发明专利]显示面板以及其包含的薄膜晶体管基板的制备方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种显示面板以及其制备方法，尤指一种用于显示面板的薄膜晶体管基板及其制备方法。 

背景技术

由于近年来显示面板的普及化，成为目前市场上的主流商品，为了满足消费者对于显示面板的需求，半导体工艺技术逐渐成熟，也伴随着薄膜晶体管的工艺技术朝着快速以及低成本的方向发展。现今显示面板中的薄膜晶体管主要分为由非晶硅(Amorphous-Silicon；a-Si)、或由多晶硅(Poly-Silicon；p-Si)所制成，虽然目前薄膜晶体管尚以非晶硅的工艺为主流，然而由于以多晶硅制备的薄膜晶体管具有高亮度、高分辨率、质轻、低耗电量等优点，因此以多晶硅制备的薄膜晶体管的工艺技术被视为重要的研究目标。 

传统的多晶硅薄膜晶体管的制备过程中，需要经过掺杂(doping)、掺杂活化(dopant activation)、氢化(hydrogenation)、以及去氢化(dehydrogenation)的步骤，以上步骤皆需经由热或激光能量处理，而为了使掺杂的不纯物活化，使多晶硅层的源极和漏极低电阻化，关闭电压值提高，需经由热处理或激光使之活化，已知的热处理温度大约为550-600℃，如此的高温将会限制薄膜晶体管基版的使用材料，例如无法使用塑料基板或具可挠曲特性的基板等，而激光活化的成本则相当高，为了因应现今显示面板的发展趋势，以及降低生产成本的目标，目前急需发展一种多晶硅薄膜晶体管的低温工艺，替代多晶硅的掺杂、以及掺杂活化的步骤，以节省成本，并且扩大包含多晶硅薄膜晶体管的显示面板的应用范围。 

发明内容

本发明的目的是在提供一种显示面板，包括一种薄膜晶体管，以及该薄膜晶体管的制备方法。 

本发明所提供的薄膜晶体管基板是包括：一基板；一第一金属层，形成于基板上；一绝缘层，形成于基板以及第一金属层上；一多晶硅层，形成于绝缘层上；一第二金属层，形成于多晶硅层及绝缘层上；一金属薄膜层，形成于第二金属层与多晶硅层之间；以及一金属硅化物，形成于多晶硅层与金属薄膜层之间。 

本发明的另一目的是在提供一种薄膜晶体管基板的制备方法，该方法至少包括：(A)提供一基板；其上方依序形成一第一金属层、一绝缘层、以及一多晶硅层，其中，第一金属层是设于基板上；绝缘层是设于基板及第一金属层上；以及多晶硅层是设于绝缘层上；(B)于绝缘层及多晶硅是层上形成一金属薄膜层；(C)形成一第二金属层于金属薄膜层上；以及(D)对薄膜晶体管基板进行一退火工艺，使金属薄膜层与多晶硅层反应形成一金属硅化物。 

在一实施例中，金属薄膜层是至少一选自铝、镓、铟、铊、及其合金所组成的群组。 

在一实施例中，金属薄膜层厚度为1-500nm。 

在一实施例中，金属薄膜层厚度为510nm。 

在一实施例中，第二金属层包括一源极及一漏极，对应于源极的金属硅化物与对应漏极的金属硅化物的距离是介于1μm至20μm间。 

在一实施例中，退火工艺温度为300-400℃。 

附图说明

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下，其中： 

图1A—1Q是本发明的低温多晶硅薄膜晶体管的制作流程。 

图2A及图2B是本发明中金属硅化物的态样。 

具体实施方式

本发明的薄膜晶体管基板的一较佳实施态样是如图1Q所示，该结构的一较佳工艺是如图1A-1Q所示。而该结构的制备方法则如下所述。 

如图1A所示，提供一基板100，于该基板100上形成一第一金属层101，其中，本实施例的基板100为玻璃基板，而其他实施态样则可为塑料基板；以及该第一金属层101为钼金属，其他实施态样中则可为铝、铜、钼、钨或其合金等金属材料所制成。接着如图1B所示，利用光刻蚀刻工艺，形成一第一光阻层102于第一金属层101上，并于蚀刻第一金属层101后，再以化学溶剂去除第一光阻层102以形成如图1C中所示的栅极1011及1012。