[发明专利]ReRAM器件结构

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器ReRAM，包括：

第一金属层，所述第一金属层包括第一金属；

位于所述第一金属层上的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包括所述第一金属；

位于所述金属氧化物层上方的第二金属层；

第一连续导电阻挡层，所述第一连续导电阻挡层物理接触所述第一金属层的侧壁以及所述金属氧化物层的侧壁；以及

第一电介质层，所述第一电介质层围绕所述第一金属层的所述侧壁以及所述金属氧化物层的所述侧壁，其中所述第一连续导电阻挡层位于所述第一电介质层与所述第一金属层以及所述金属氧化物层的所述侧壁之间；以及

第二连续导电阻挡层，所述第二连续导电阻挡层物理接触所述第二金属层的侧壁并且与所述第一连续导电阻挡层电隔离。

2.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述第二连续导电阻挡层在所述第二金属层和所述金属氧化物层之间延伸。

3.根据权利要求1所述的ReRAM，还包括：

第二电介质层，所述第二电介质层围绕所述第二金属层的所述侧壁，其中所述第二连续导电阻挡层位于所述第二电介质层和所述第二金属层的所述侧壁之间。

4.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述第二金属层位于所述金属氧化物层的第一主表面的周界内。

5.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述第一连续导电阻挡层在所述第一金属层下面延伸。

6.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述第一金属层包括铜，以及所述金属氧化物层包括氧化铜。

7.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述第一连续导电阻挡层包括氮化物。

8.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述金属氧化物层的进一步特征在于存储介质。

9.一种电阻式随机存取存储器ReRAM，包括：

第一金属层，所述第一金属层包括第一金属；

位于所述第一金属层上的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包括所述第一金属；

第二金属层，所述第二金属层位于所述金属氧化物层上方，并且位于所述金属氧化物层的第一主表面的周界内；

第一连续导电阻挡层，所述第一连续导电阻挡层物理接触所述第一金属层的侧壁和所述金属氧化物层的侧壁；

第二连续导电阻挡层，所述第二连续导电阻挡层物理接触所述第二金属层的侧壁以及物理接触所述金属氧化物层的所述第一主表面，其中所述第二连续导电阻挡层位于所述金属氧化物层的所述第一主表面的所述周界内并且与所述第一连续导电阻挡层物理分离；以及

第一电介质层，所述第一电介质层围绕所述第一金属层的所述侧壁以及所述金属氧化物层的所述侧壁，其中所述第一连续导电阻挡层位于所述第一电介质层与所述第一金属层以及所述金属氧化物层的所述侧壁之间。

10.根据权利要求9所述的ReRAM，其中所述第一连续导电阻挡层在所述第一金属层下面延伸。

11.一种形成电阻式随机存取存储器ReRAM的方法，包括：

在第一电介质层中形成第一开口；

在所述第一开口内形成第一连续阻挡层，其中所述第一连续阻挡层物理接触所述第一开口的侧壁以及所述第一开口的底部；

在所述第一开口内形成第一金属层；

氧化所述第一金属层的顶部部分，以在所述第一开口内形成金属氧化物层，其中位于所述第一开口内的所述第一连续阻挡层物理接触所述金属氧化物层和所述第一金属层的侧壁，所述第一连续阻挡层位于所述第一电介质层与所述第一金属层以及所述金属氧化物层的所述侧壁之间；以及

在所述金属氧化物层上方形成第二金属层，其中所述第二金属层位于所述金属氧化物层的主表面的周界内；

其中在所述金属氧化物层上方形成所述第二金属层的步骤包括：

在所述第一电介质层上方形成第二电介质层；

在所述第二电介质层中形成第二开口，所述第二开口暴露了所述金属氧化物层但是不暴露所述第一电介质层；

形成第二连续阻挡层，所述第二连续阻挡层物理接触所述第二开口的侧壁；以及

在所述第二开口内形成所述第二金属层，所述第二金属层物理接触所述第二连续阻挡层。