[发明专利]一种增强型FLASH芯片和一种芯片封装方法有效
申请号: | 201310121590.9 | 申请日: | 2013-04-09 |
公开(公告)号: | CN103247611A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 胡洪;舒清明;张赛;张建军;刘江;潘荣华 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/98 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 flash 芯片 封装 方法 | ||
1.一种增强型FLASH芯片,其特征在于,包括:
封装在一起的FLASH和应答保护单调计数器RPMC;其中,
所述FLASH和所述RPMC分别包括各自独立的控制器;
所述FLASH与所述RPMC中的相同IO引脚互连,并且连接到所述芯片的同一外部共享引脚上;所述FLASH与所述RPMC的内部无需互连;
外部指令通过所述芯片的外部共享引脚传输到所述FLASH与所述RPMC中,FLASH的控制器和RPMC的控制器分别判断是否执行所述外部指令。
2.根据权利要求1所述的增强型FLASH的芯片,其特征在于:
所述FLASH还包括与FLASH相连的实现FLASH功能的独立IO引脚,所述与FLASH相连的独立IO引脚连接到所述芯片的外部独立引脚上;
所述RPMC还包括与RPMC相连的实现RPMC功能的独立IO引脚,所述与RPMC相连的独立IO引脚连接到所述芯片的另外的外部独立引脚上;
其中,所述与FLASH相连的独立IO引脚和与所述RPMC相连的独立IO引脚互不相连。
3.根据权利要求1或2所述的增强型FLASH芯片,其特征在于,所述FLASH与所述RPMC中的相同IO引脚互连,并且连接到所述芯片的同一外部共享引脚上,包括:
所述FLASH的IO引脚a_x与所述RPMC中的相同IO引脚b_y互连,并且所述FLASH的IO引脚a_x连接到所述芯片的同一外部共享引脚PAD_z上,或者,所述RPMC中的相同IO引脚b_y连接到所述芯片的同一外部共享引脚PAD_z上;
其中,所述a表示FLASH的IO引脚,所述x表示FLASH的IO引脚标识;所述b表示RPMC的IO引脚,所述y表示RPMC的IO引脚标识;所述PAD表示芯片封装的IO引脚,所述z表示芯片封装的IO引脚标识。
4.根据权利要求1或2所述的增强型FLASH芯片,其特征在于:
当所述芯片通过外部共享引脚接收到第一外部指令时,若FLASH的控制器和RPMC的控制器分别判断为所述第一外部指令均需要FLASH和RPMC执行,则所述FLASH和所述RPMC各自按照所述第一外部指令执行相应操作;
若仅需要FLASH和RPMC中的任意一个执行所述第一外部指令,则在所述FLASH或所述RPMC按照所述第一外部指令执行相应操作的过程中,若所述芯片通过外部共享引脚接收到第二外部指令,并且仅需要所述FLASH和RPMC中的另一个执行,则所述FLASH和RPMC中的另一个按照所述第二外部指令执行相应操作。
5.根据权利要求1或2所述的增强型FLASH芯片,其特征在于:
在所述芯片中,所述FLASH与所述RPMC并排封装,或者,所述FLASH与所述RPMC垂直叠加封装。
6.根据权利要求5所述的增强型FLASH芯片,其特征在于,当所述FLASH与所述RPMC垂直叠加封装时:
若所述FLASH的面积大于所述RPMC的面积,则所述RPMC垂直叠放在所述FLASH之上;
若所述RPMC的面积大于所述FLASH的面积,则所述FLASH垂直叠放在所述RPMC之上。
7.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:
将需要封装的FLASH和应答保护单调计数器RPMC放置在芯片载体上,所述FLASH与所述RPMC相互独立;
将所述FLASH与所述RPMC中的相同IO引脚采用金属引线互连;
将所述互连后的相同IO引脚采用金属引线连接到所述芯片载体的同一外部共享引脚上;
将所述FLASH、所述RPMC和所述芯片载体塑封为具有RPMC功能的增强型FLASH芯片;
其中,所述FLASH与所述RPMC的内部无需互连。
8.根据权利要求7所述的芯片封装方法,其特征在于,还包括:
将所述FLASH中实现FLASH功能的独立IO引脚采用金属引线连接到所述芯片载体的外部独立引脚上;
将所述RPMC中实现RPMC功能的独立IO引脚采用金属引线连接到所述芯片载体的另外的外部独立引脚上;
其中,所述FLASH中的独立IO引脚与所述RPMC中的独立IO引脚互不相连。
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