[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310122105.X | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103227111A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 马旭;周维;曹亚民 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
步骤一：提供一衬底，所述衬底包括高压器件区域和低压器件区域，所述高压器件区域和低压器件区域由浅沟槽隔开，在所述衬底上形成覆盖高压器件区域和低压器件区域的衬垫氧化层，在所述衬垫氧化层和浅沟槽上形成硬掩膜层；
步骤二：采用干法刻蚀去除高压器件区域上的部分所述硬掩膜层；
步骤三：采用第一清洗液去除所述高压器件区域和浅沟槽交叠部分的部分厚度的浅沟槽，以使残留在高压器件区域和浅沟槽交界处的硬掩膜层暴露出来；
步骤四：采用第二清洗液去除残留在高压器件区域和浅沟槽交界处的硬掩膜层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一清洗液为氢氟酸。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一清洗液为氢氟酸和氟化氨的混合液。
5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一清洗液为氢氟酸和磷酸的混合液。
6.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一清洗液为氢氟酸、氟化氨和磷酸的混合液。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二清洗液为磷酸。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬垫氧化层的厚度为所述硬掩膜层的厚度为
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤三中，去除的浅沟槽的厚度为
10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤四中的清洗时间为1分钟～3分钟。
11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：
步骤五：采用第一刻蚀液去除位于高压器件区域上的衬垫氧化层，暴露出衬底表面；
步骤六：在所述高压器件区域暴露出的衬底表面上形成高压栅氧层。
12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述高压栅氧层的厚度为90nm～110nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
