[发明专利]一种晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201310124029.6 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103589A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种晶体管制造方法，其特征在于，包括：
在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域；
在所述半导体衬底及栅极结构的表面，由下至上形成第一掩膜层、保护层、Barc层；
在所述NMOS区域覆盖光刻胶层；
以所述光刻胶层为掩膜，采用含有HBr的混合气体刻蚀所述Barc层，以去除位于所述PMOS区域的Barc层；
继续以所述光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述保护层和第一掩膜层，直至露出所述半导体衬底；
以所述栅极结构为掩膜刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；
在所述开口内填充应力材料，形成应力层。
2.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为Al2O3、ZrO2、HfO2、La2O3、Ta2O5、TiO2或SiO2。
3.如权利要求2所述的晶体管制造方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺为CVD工艺。
4.如权利要求2所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为SiO2，形成所述保护层的工艺为O2等离子气体氧化工艺。
5.如权利要求4所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述O2等离子气体氧化工艺为：在压力为10mTorr～500mTorr，功率为5100～21000W条件下，持续以50～500sccm流量通入包括O2的等离子气体30～600秒，氧化所述第一掩膜层。
6.如权利要求1～5任一项所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10～50埃。
7.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述混合气体还包括O2，其中，HBr和O2的流量比为40：1～200：1。
8.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为5～20纳米。
9.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe。
10.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一掩膜层前，在所述半导体衬底以及栅极结构的表面形成一层氧化层。
11.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述光刻胶层的材料为甲基丙烯酸酯聚合物或苯乙烯聚合物。
12.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述Barc层的材料为聚丙烯酸酯类聚合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
