[发明专利]输入缓冲电路

说明书

技术领域

本申请要求于2012年10月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0121227号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

背景技术

本发明涉及一种具有磁滞特性的输入缓冲电路。

本发明涉及一种具有磁滞特性的输入缓冲电路。一般来说，为了防止由输入信号的噪声特性引起的输出信号的跃迁，使用具有磁滞特性的施密特触发电路。

下面的相关技术文献涉及一种能够获得快速响应速度的具有反向极性磁滞的输入缓冲电路的，其问题在于，难以确定输入端的n-型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管和p-型MOS（PMOS）晶体管的尺寸用于确定输出的状态，并且难以确定磁滞的电平。

[相关技术文献]

韩国专利特许公开第2002-0039745号

发明内容

本发明的一个方面提供了一种输入缓冲电路，能够通过调整输入端的p-型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管和n-型MOS（NMOS）晶体管的尺寸，而容易地确定磁滞的电平。

根据本发明的一个方面，提供了一种输入缓冲电路，包括：第一运算单元，对输入信号和第一信号执行NOR运算；第二运算单元，对输入信号和第二信号执行NAND运算；以及反相单元，使第一运算单元和第二运算单元的输出分别反相以生成第二信号和第一信号，其中，第一运算单元和第二运算单元的确定输入信号为高电平或低电平的参考电平被设置为不同。

第一运算单元的参考电平高于第二运算单元的参考电平。

第一运算单元可以包括接收输入信号和第一信号的双输入NOR门。

第二运算单元可以包括接收输入信号和第二信号的双输入NAND门。

反相单元可以包括：第一反相器，使第一运算单元的输出反相以生成第二信号；以及第二反相器，使第二运算单元的输出反相以生成第一信号。

根据本发明的另一方面，提供了一种输入缓冲电路，包括：双输入NOR门，包括分别被施加有输入信号的第一p-型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管和第一n-型MOS（NMOS）晶体管以及分别被施加有第一信号的第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一反相器，使双输入NOR门的输出信号反相以生成第二信号；双输入NAND门，包括分别被施加有输入信号的第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管以及分别被施加有第二信号的第四PMOS晶体管和第四NMOS晶体管；以及第二反相器，使双输入NAND门的输出信号反相以生成第一信号，其中，双输入NOR门的确定输入信号为高电平或低电平的双输入NAND门的参考电平被设置为不同。

双输入NOR门的参考电平可高于双输入NAND门的参考电平。

双输入NOR门的参考电平可以由第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管各自的宽度与长度的比来确定，并且双输入NAND门的参考电平可以由第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管各自的宽度与长度的比来确定。

第一PMOS晶体管的宽度与长度的比可以大于第一NMOS晶体管的宽度与长度的比。

第三PMOS晶体管的宽度与长度的比可以小于第三NMOS晶体管的宽度与长度的比。

根据本发明的另一方面，提供了一种输入缓冲电路，包括：双输入NOR门，包括分别被施加有输入信号的第一PMOS晶体管阵列和第一NMOS晶体管以及分别被施加有第一信号的第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一反相器，使双输入NOR门的输出信号反相以生成第二信号；双输入NAND门，包括分别被施加有输入信号的第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管阵列以及分别被施加有第二信号的第四PMOS晶体管和第四NMOS晶体管；以及第二反相器，使双输入NAND门的输出信号反相以生成第一信号，其中，双输入NOR门和双输入NAND门的确定输入信号为高电平或低电平的参考电平被设置为不同。

双输入NOR门的参考电平可以高于双输入NAND门的参考电平。

附图说明

从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明的上述和其它方面、特征和其它优点，其中：

图1是示出了根据本发明实施方式的输入缓冲电路的框图；

图2示出了根据本发明实施方式的使用逻辑运算符的输入缓冲电路；

图3是根据本发明实施方式的输入缓冲电路的电路图；

图4示出了双输入NOR门在输入信号的电压电平在驱动电压的中间电平（V_CC/2）与第一参考电平之间的情况下的等效电路；