[发明专利]具有缓冲层的积层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中包含：

堆栈体，其是由至少三个介电层与至少二个内电极层交互堆栈所构成，而各相邻的内电极层分别露出于所述堆栈体两端；以及，

两个外端电极组件，所述两个外端电极组件分别设置于所述堆栈体的两个端部，各外端电极组件包含电极层、树脂缓冲层、电极保护层以及电极导接层；

所述电极层至少包覆于所述堆栈体的端部，与露出于所述堆栈体相对端的内电极层接触；

所述树脂缓冲层包覆于所述电极层的外表面，其包含有热固性树脂、第一导电添加物及第二导电添加物，所述第二导电添加物为金属，所述热固性树脂的固化温度高于所述第二导电添加物的熔点；

所述电极保护层包覆成形于所述树脂缓冲层的外表面；

所述电极导接层包覆成形于所述电极保护层的外表面。

2.根据权利要求1所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述热固性树脂的含量为12至50重量百分比(wt%)，以树脂缓冲层总重量为基础。

3.根据权利要求1所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中以所述第一导电添加物及所述第二导电添加物的重量总和为基础，所述第一导电添加物的含量介于50至95wt%。

4.根据权利要求1所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述第二导电添加物的尺寸介于0.1微米(μm)至100微米(μm)之间。

5.根据权利要求1所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述第二导电添加物的熔点介于100℃至300℃之间。

6.根据权利要求1所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述树脂缓冲层的厚度介于0.1微米(μm)至100微米(μm)之间。

7.根据权利要求1所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述电极保护层的厚度介于0.1微米(μm)至30微米(μm)之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述热固性树脂为导电性树脂，所述导电性树脂包含至少一种选自于由聚乙炔类、聚噻吩类、聚吡咯类、聚苯胺类以及聚芳香烃乙烯所组成的群组的热固性树脂。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述热固性树脂为非导电性树脂，所述非导电性树脂包含至少一种选自于由环氧树脂类、酚醛类树脂、尿素树脂、美耐皿树脂、不饱和聚脂树脂、硅脂树脂以及聚胺基甲酸脂所组成的群组的热固性树脂。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述第一添加物选自于由金属类粉末、金属类箔片、金属类纤维、碳类纤维和碳类形态的导电添加物所组成的群组；其中金属类粉末、金属类箔片、金属类纤维包含至少一种选自于由镍、银、铜、钯、其混合物及其合金所组成的群组中的物质；其中碳类纤维和碳类形态的导电添加物包含至少一种选自于由活性碳、碳纤维以及碳纳米管所组成的群组中的物质。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述第二导电添加物包含至少一种选自由金属类粉末、金属类箔片、金属类纤维的导电物所组成的群组中的物质；其中金属类粉末、金属类箔片、金属类纤维的组成物包含至少一种选自由锡、铋、铅、铟、其混合物及其合金所组成的群组中的物质。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述内电极层选自于由镍、铜、银、钯的粉末、合金、化合物以及其组合所组成的群组。

13.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述介电层为陶瓷材料所组成。

14.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述电极层的材质为玻璃与铜、银、镍的金属粉末或其混合物所组成。

15.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述电极保护层是由镍所组成。

16.根据权利要求1至7中任一项所述的具有缓冲层的积层陶瓷电容器，其中所述电极导接层是由锡所组成。