[发明专利]一种镍-立方氮化硼薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种镍-立方氮化硼薄膜的制备方法，首先对阴阳极基材和立方氮化硼粉体进行洁净处理，然后将处理过的阴阳极基材和立方氮化硼粉体放入到镀液中进行电镀，其特征在于：所述镀液由硼酸、氯化铵、氨基磺酸镍和十二烷基硫酸钠溶解在去离子水中制成，电镀时每升镀液中含有硼酸30-50g、氯化铵5-15g、氨基磺酸镍280-320g、十二烷基硫酸钠0.6-1.0g以及立方氮化硼粉体25-45g，同时，在电镀时向镀液中施加功率为250-260W、频率为20-40KHz的超声波。

2.根据权利要求1所述的一种镍-立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述电镀时每升镀液中含有硼酸35-45g、氯化铵8-12g、氨基磺酸镍290-310g、十二烷基硫酸钠0.7-0.9g和立方氮化硼粉体30-40g。

3.根据权利要求1所述的一种镍-立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述电镀时镀液中施加的超声波的频率为32-36 KHz。

4.根据权利要求1所述的一种镍-立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述电镀时施加的电流密度为3-5A/dm²，同时对镀液进行搅拌，搅拌速度为360-420r/min，并控制镀液的温度为40-60℃。

5.根据权利要求4所述的一种镍-立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述电镀时施加的电流密度为3.5-4.5 A/dm²，搅拌镀液的速度为380-400 r/min，控制镀液的温度为45-55℃。