[发明专利]带保持机构、薄片剥离设备和薄片剥离方法有效
申请号: | 201310130575.0 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN103377976A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 多贺洋一郎;西胁一雅;千田昌男 | 申请(专利权)人: | 日本电气工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 机构 薄片 剥离 设备 方法 | ||
通过引用并入
本申请基于并要求于2012年4月20日申请的日本专利申请号2012-96495的优先权的权益,其公开的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及一种带保持机构、薄片剥离设备和薄片剥离方法。
背景技术
芯片制造包括研磨半导体晶片(以下简称为晶片)的过程和切割晶片的过程。当研磨晶片时,保护带被粘附以防止晶片的表面被研磨流体污染,所述保护带为诸如保护晶片的前表面(电路表面)的背面研磨(BG)带和保护晶片的后表面的LC带。另外,当晶片在研磨后被切片时,为了防止单个芯片散开,切片带被粘附到晶片的背面。在下文中,保护带、LC带、切片带等被统称为薄片。
保护晶片的表面的薄片在晶片被研磨以后被剥离。例如,在日本未经审查的专利申请公开号2007-173495中公开的剥离设备移动保持剥离带的一端的带保持装置,将剥离带的另一端粘附到被粘附到晶片的薄片,并且拉动剥离带使得薄片被向后折叠并从晶片上剥离。
在日本未经审查的专利申请公开号2007-173495中公开的剥离设备中,当剥离带的一端被保持时,剥离带的另一端垂下。因此,难以适当地将剥离带的另一端粘附到薄片。
发明内容
为了解决上述问题完成了本发明,旨在提供一种带保持机构、薄片剥离设备和薄片剥离方法,能够适当地将剥离带粘附到薄片。
根据本发明的一个示例性方面的带保持机构是在保持被切断的剥离带的一端、将剥离带的另一端粘附到被粘附到粘附构件的薄片和拉动剥离带使得薄片被向后折叠并从粘附构件剥离时使用的带保持机构,
其中,当假定与从剥离带的一端到另一端的方向垂直的方向是剥离带的横向方向时,带保持机构在所述横向方向上将剥离带弯曲并且保持剥离带。
根据本发明的另一示例性方面的一种薄片剥离设备包括上述的带保持机构。
根据本发明的另一示例性方面的薄片剥离方法包括以下步骤:保持剥离带的一端;将剥离带的另一端粘附到被粘附到粘附构件的薄片;和拉动剥离带使得薄片被向后折叠并且从粘附构件剥离,其中,当假定与从剥离带的一端到另一端的方向垂直的方向是剥离带的横向方向时,在所述横向方向上将剥离带弯曲并且在保持剥离带的一端的步骤中保持剥离带。
附图说明
将从下文给出的详细描述和附图中更加完整地理解本发明的上述的和其它的目的、特征和优点,所述详细描述和附图仅通过说明的方式给出,因此不能认为是限制本发明。
图1是示出根据本发明的第一示例性实施例的薄片剥离设备的配置框图;
图2是示出根据本发明的第一示例性实施例的带保持机构的上部透视图;
图3是示出根据本发明的第一示例性实施例的带保持机构中的第一保持部的上部透视图;
图4是示出根据本发明的第一示例性实施例的带保持机构的前视图;
图5是示出根据本发明的第一示例性实施例的带保持机构中的第二保持部的上部透视图;
图6A是示出使用根据本发明的第一示例性实施例的薄片剥离设备剥离粘附到晶片的薄片的操作的图示;
图6B是示出使用根据本发明的第一示例性实施例的薄片剥离设备剥离粘附到晶片的薄片的操作的图示;
图6C是示出使用根据本发明的第一示例性实施例的薄片剥离设备剥离粘附到晶片的薄片的操作的图示;
图6D是示出使用根据本发明的第一示例性实施例的薄片剥离设备剥离粘附到晶片的薄片的操作的图示;
图6E是示出使用根据本发明的第一示例性实施例的薄片剥离设备剥离粘附到晶片的薄片的操作的图示;
图7是在根据本发明的第一示例性实施例的带保持机构中剥离被粘附到晶片的薄片时的前视图;
图8是示出根据本发明的第二示例性实施例的带保持机构中的第二保持部的上部透视图;
图9是示出根据本发明的第二示例性实施例的带保持机构中的第二保持部的下部透视图;
图10是示出根据本发明的第三示例性实施例的带保持机构中的第二保持部的上部透视图;
图11是示出根据本发明的第三示例性实施例的带保持机构中的第二保持部的下部透视图;
图12是示出根据本发明的第四示例性实施例的薄片剥离设备中的按压部的图示;和
图13是描述根据本发明的第四示例性实施例的薄片剥离设备中的按压部的操作的图示。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气工程株式会社,未经日本电气工程株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造