[发明专利]基板的切割方法无效
| 申请号： | 201310132126.X | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103377977A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 木内一之 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割方法，在将具有能量射线固化型粘合剂层的表面保护粘合带贴合到基材的一个面而对半导体晶圆集成电路形成面进行表面保护并切割的工序中，在预先对晶圆内周部照射能量射线使该能量射线固化型粘合剂层固化、晶圆外周部的能量射线固化型粘合剂层未固化的状态下进行切割。
2.根据权利要求1所述的切割方法，其中，所述集成电路为固态图像传感器。
3.根据权利要求1或2所述的切割方法，其中，所述能量射线为紫外线。
4.根据权利要求1或2所述的切割方法，其中，所述能量射线固化型粘合剂层以丙烯酸系高分子化合物为主成分。
5.根据权利要求1或2所述的切割方法，其中，使用利用能量射线照射进行固化前的表面保护粘合带的粘合力为0.10N/10mm以上的粘合带。
6.根据权利要求1或2所述的切割方法，其中，使用利用能量射线照射进行固化后的表面保护粘合带的粘合力不足0.10N/10mm的粘合带。
7.根据权利要求1或2所述的切割方法，其中，使用基材为包含热收缩性薄膜和非热收缩性薄膜的层叠薄膜的表面保护粘合带。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310132126.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
