[发明专利]基板的切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及使用表面保护粘合带的切割基板的方法。

背景技术

为了防止集成电路被晶圆切割工序中的切屑污染，提出了如下的技术：将表面保护粘合带贴附到晶圆的集成电路形成面，在该状态下进行切割(专利文献1)。

然而，该方法存在如下的缺点：从切割后单片化了的晶圆(以下称为“芯片”)剥离表面保护粘合带的操作困难，而且剥离时粘合剂脱落而留在集成电路面，集成电路受到污染。

为了解决这种缺点，也已知如下的方法：使用具有能量射线(尤其是紫外线)固化型粘合剂层作为粘合剂的表面保护粘合带，切割后进行剥离时进行能量射线照射，使粘合剂层固化，然后剥离(专利文献2)。

根据该方法，剥离变得更简便，而且集成电路表面的污染也受到抑制，但由于在能量射线固化型粘合剂未固化的状态下进行切割，因此，粘合剂由于切割中的切削应力而被撕下，撕下来的粘合剂贴附到晶圆侧面上，从而污染集成电路侧面。因此，导致增加用于去除该污染的工序，无法供于实用。

因此，将具有能量射线(紫外线)固化型的粘合剂层的表面保护粘合带贴附到晶圆，将粘合剂层固化并进行切割，结果能够抑制由粘合剂碎屑导致的集成电路表面及侧面污染。然而，往往产生切割中表面保护粘合带脱落的不良情况，产生了芯片的成品率明显降低的新问题。

认为这种表面保护粘合带脱落的发生原因之一，是在粘合力由于能量射线固化而降低的状态下施加切削应力。

因此，专利文献3中公开了如下的方法：仅将划痕线进行能量射线固化后进行切割，然后在使所有区域固化后剥离表面保护粘合带。这种方法在提高芯片成品率方面是优异的，但担心在实用中可预期如下的进一步劳动：需要将掩模与极细的划痕线以高精度对齐；每当芯片形状、尺寸根据集成电路的改变而改变时，必需改变掩膜，使其与新的改变后的划痕线一致，等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-209073号公报

专利文献2：日本专利第3045107号公报

专利文献3：日本特开平8-274048号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明希望解决的问题是获得一种切割方法，所述切割方法在为了保护晶圆表面而贴附表面保护粘合带并进行切割的工序中，芯片侧面无残胶、并且使贴附的表面保护粘合带在切割中不从晶圆剥离、并且成品率和生产率优异。

用于解决问题的方案

将具有能量射线固化型粘合剂层的粘合带作为表面保护粘合带以保护晶圆表面的方式贴附后，除晶圆最外周部(未形成集成电路的区域)之外，使粘合剂层固化，进行切割。具体如下所述。

1.一种切割方法，在将具有能量射线固化型粘合剂层的表面保护粘合带贴合到基材的一个面而对半导体晶圆集成电路形成面进行表面保护并切割的工序中，在预先对晶圆内周部照射能量射线使该能量射线固化型粘合剂层固化、晶圆外周部的能量射线固化型粘合剂层未固化的状态下进行切割。

2.根据1所述的切割方法，其中，所述集成电路为固态图像传感器。

3.根据1或2所述的切割方法，其中，所述能量射线为紫外线。

4.根据1或2所述的切割方法，其中，所述能量射线固化型粘合剂层以丙烯酸系高分子化合物为主成分。

5.根据1或2所述的切割方法，其中，使用利用能量射线照射进行固化前的表面保护粘合带的粘合力为0.10N/10mm以上的粘合带。

6.根据1或2所述的切割方法，其中，使用利用能量射线照射进行固化后的表面保护粘合带的粘合力不足0.10N/10mm的粘合带。

7.根据1或2所述的切割方法，其中，使用基材为包含热收缩性薄膜和非热收缩性薄膜的层叠薄膜的表面保护粘合带。

发明的效果

根据本发明，通过仅对晶圆外周部不照射能量射线这一简便的手段，能够防止使切割时的成品率降低的、粘合剂所致的切断后的单片晶圆的污染、晶圆的裂纹等。因此，能够不经过繁杂的工序而进行生产率优异的切割工序。

附图说明

图1是切割工序开始前的示意图。

图2是切割工序中的示意图。

图3是切割后的晶圆示意图。

图4是能量射线照射中的图。

图5是切割工序后的晶圆上表面图。