[发明专利]荧光体及发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其特征在于所述荧光体包括：

式(I)所示的组成物：

Ca_pSr_qM_m-A_a-B_b-O_t-N_n：Eu_r………(I)

在式(I)中，M选自镁及钡所组成的组；A选自铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥所组成的组且至少含有铝；B选自硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的组且至少含有硅；O为氧元素；N为氮元素；0<p<1，0<q<1，0≤m<1，0≤t≤0.3，0.00001≤r≤0.1，a=1，0.8≤b≤1.2，2.6≤n≤3.1；且

该荧光体含有10ppm～500ppm的钼。

2.如权利要求1所述的荧光体，其特征在于该荧光体含有10ppm～200ppm的钼。

3.如权利要求1所述的荧光体，其特征在于该荧光体中的钼的原料选自钼的含氧化合物、钼的含氮化合物及纯金属钼所组成的组。

4.如权利要求3所述的荧光体，其特征在于该钼的含氧化合物包括MoO₂或MoO₃。

5.如权利要求1所述的荧光体，其特征在于在式(I)中0.05≤p≤0.9，0.1≤q≤0.95。

6.如权利要求5所述的荧光体，其特征在于在式(I)中0.15≤(p+q)<1。

7.如权利要求1所述的荧光体，其特征在于所述荧光体还包括氟元素、硼元素、氯元素与碳元素其中至少一种，且含量各在1000ppm以下。

8.如权利要求1所述的荧光体，其特征在于该荧光体受455nm光源照射所激发出的发光主波长为580nm～680nm，其发光色调的CIE1931色度坐标(x,y)为：0.45≤x≤0.72，0.2≤y≤0.5。

9.一种发光装置，其特征在于所述发光装置包括：

半导体发光组件；以及

荧光体，该荧光体是如权利要求1～8中任一项所述的荧光体，该荧光体受该半导体发光组件所发出的光激发，并转换发出如下光，该光的波长相异于该半导体发光组件所发出的光的波长。

10.如权利要求9所述的发光装置，其特征在于该半导体发光组件所发出的光的波长为300nm～550nm。