[发明专利]荧光体及发光装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光组成物，且特别涉及一种具有高辉度(brightness)的荧光体(phosphor)及发光装置。

背景技术

发光二极管是目前广泛用于半导体发光装置的组件，此种发光装置具有发光效率高、体积小、低耗电力与低成本等优点，因此可做为各种光源来使用。而半导体发光装置包含半导体发光组件与荧光体，荧光体可吸收并转换半导体发光组件所发出的光，藉由半导体发光组件所发出的光与荧光体转换发出的光两者混合使用，因此可用于荧光灯、车辆照明、显示器、液晶背光显示等各种领域，其中，以白色发光装置使用最为广泛。

现行白色发光装置是采用铈为活性中心的YAG荧光体(Y₃Al₅O₁₂：Ce)并搭配发出蓝光的半导体发光组件所组成。然而，使用Y₃Al₅O₁₂：Ce荧光体并搭配发出蓝光的半导体发光组件所发出的混合光，其色度坐标位于发出蓝光的半导体发光组件的色坐标与Y₃Al₅O₁₂：Ce荧光体的色坐标连接线上，因而所发出的混合光为缺乏红色光的白光，演色性与色彩饱和度明显不足。此外，Y₃Al₅O₁₂：Ce的较佳激发光谱区域和半导体发光组件的发光区域并不一致，因此，激发光的转换效率不佳，高辉度的白光光源不易获得。为解决此种现象，近年已开发将YAG：Ce荧光体中混入可发出红光的荧光体，已知有采用铕(Eu)为活性中心的Sr₂Si₅N₈：Eu荧光体、CaAlSiN₃：Eu荧光体及赛隆(sialon)荧光体。然而，Sr₂Si₅N₈：Eu荧光体由于晶体本身耐热性不佳，长期使用时有辉度和演色性下降的缺点；赛隆荧光体虽然本身无耐久性问题，但是荧光体发光辉度明显不足，商业使用上并不普及。CaAlSiN₃：Eu荧光体虽然有较佳的耐久性，以及较赛隆荧光体为佳的辉度，但业界仍期待能更进一步提高荧光体的发光辉度，以使发光装置能具有较高的发光效率。

发明内容

本发明提供一种荧光体，能提高发光辉度。

本发明另提供一种发光装置，能改善发光效率。

本发明提出一种荧光体包括式(I)所示的组成物，且荧光体还含有10ppm～500ppm的钼。

Ca_pSr_qM_m-A_a-B_b-O_t-N_n：Eu_r………(I)

在式(I)中，M选自镁及钡所组成的组，A选自铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥(Lu)所组成的组且至少含有铝，B选自硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的组且至少含有硅，O为氧元素，N为氮元素；0<p<1，0<q<1，0≤m<1，0≤t≤0.3，0.00001≤r≤0.1，a=1，0.8≤b≤1.2，2.6≤n≤3.1。

在本发明的一实施方式中，上述荧光体含有10ppm～200ppm的钼。

在本发明的一实施方式中，上述荧光体中的钼的原料选自钼的含氧化合物、钼的含氮化合物及纯金属钼所组成的组。

在本发明的一实施方式中，上述钼的含氧化合物包括MoO₂或MoO₃。

在本发明的一实施方式中，上述式(I)中0.05≤p≤0.9，0.1≤q≤0.95。

在本发明的一实施方式中，上述式(I)中0.15≤(p+q)<1。

在本发明的一实施方式中，上述荧光体还包括氟元素、硼元素、氯元素与碳元素其中至少一种，且含量各在1000ppm以下。

在本发明的一实施方式中，上述荧光体受455nm光源照射所激发出的发光主波长为580nm～680nm，其发光色调的CIE1931色度坐标(x,y)为：0.45≤x≤0.72，0.2≤y≤0.5。

本发明另提出一种发光装置，包括半导体发光组件与荧光体。所述荧光体为上述任一种荧光体，其中荧光体受上述半导体发光组件所发出的光激发，并转换发出如下光，该光的波长相异于半导体发光组件所发出的光的波长。