[发明专利]离子注入用基板载置部件及离子注入方法

说明书

技术领域

本申请主张基于2012年7月2日申请的日本专利申请第2012-148690号的优先权。该申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种用于载置被注入离子的基板的离子注入用基板载置部件及离子注入方法。

背景技术

以往，作为注入离子的方法已知有专利文献1。专利文献1中，将晶片（基板）载置于圆盘（离子注入用基板载置部件）上，通过对晶片的上表面照射离子束来注入离子。由此，离子被注入到晶片的上表面。并且，在晶片上表面的电极的位置设置有掩模，且离子不被注入到由掩模覆盖的电极上。

专利文献1：日本特开2002-25932号公报

在此，例如在应用于太阳能电池的基板中要求基板侧面绝缘。其原因在于，当为太阳能电池时，侧面的绝缘被破坏会导致发电效率下降。然而，若采用以往的离子注入方法，则不仅基板的上表面，侧面也会被注入离子。由此，产生了导致基板侧面的绝缘被破坏的问题。

发明内容

本发明是为了解决这种问题而完成的，其目的在于提供一种能够防止离子被注入到基板的侧面的离子注入用基板载置部件及离子注入方法。

本发明所涉及的离子注入用基板载置部件为用于载置被注入离子的基板的离子注入用基板载置部件，其特征在于，具有在注入离子的方向的上游侧开口的凹部，从注入离子的方向观察，凹部具有与基板相同的形状，凹部的周壁部覆盖基板的侧面。

根据该离子注入用基板载置部件，能够通过在注入离子的方向的上游侧开口的凹部内配置基板，将离子注入到基板的上游侧的表面。并且，从注入离子的方向观察，由周壁部覆盖了基板的侧面的凹部具有与基板相同的形状。即，基板的侧面遍及整周而被周壁部覆盖。由此，能够防止离子被注入到基板的侧面。

并且，在离子注入用基板载置部件中，优选周壁部的高度在基板的厚度以上。由此，离子变得更难以进入周壁部与基板的侧面之间的分界部分，即使周壁部与基板的侧面之间存在微小的间隙，也能够防止离子被注入到基板的侧面。

并且，在离子注入用基板载置部件中，优选在凹部的底面沿周壁部形成有槽部。在凹部的底面载置基板的下游侧的表面，周壁部的内表面与基板的侧面对置。因此，由于在凹部的底面与周壁部的内表面之间的内角部配置有基板的下游侧的表面与侧面之间的外角部，因此根据凹部的加工精度，内角部有可能干扰基板的外角部。然而，在凹部的内角部沿周壁部形成有槽部。因此，由于能够将基板的下游侧的表面与侧面之间的外角部放入槽部，因此无需过于提高底面与周壁部的内表面之间的内角部的加工精度。

并且，离子注入用基板载置部件优选兼用作输送基板的输送托盘。由此，离子注入用基板载置部件成为同时具有载置基板的功能与输送基板的功能的结构。

并且，在离子注入用基板载置部件中，优选在凹部的底面形成有能够插穿用于推出基板的部件的孔部。从注入离子的方向观察，由于凹部具有与基板相同的形状，因此成为很难从凹部取出基板的状态，但能够使部件插穿孔部来推出基板，由此在离子注入后轻松地从凹部取出基板。

并且，本发明所涉及的离子注入方法为在基板上注入离子的离子注入方法，其特征在于，具备：由预定物体覆盖基板的侧面的工序；及向侧面由物体覆盖的基板上注入所述离子的工序。

根据该离子注入方法，由于具有由预定物体覆盖基板的侧面的工序，因此在执行注入离子的工序时，相对于注入离子的方向，基板呈上游侧的表面露出且侧面被物体覆盖的状态。由此，离子只注入到基板的上游侧的表面。由此，能够防止离子被注入到基板的侧面。

并且，在离子注入方法中，优选物体具有大于基板的厚度的高度。由此，离子变得更难以进入物体与基板的侧面之间的分界部分，即使在物体与基板的侧面之间存在微小的间隙，也能够防止离子被注入到基板的侧面。

并且，在离子注入方法中，优选物体与载置基板的离子注入用基板载置部件是分体的。由此，即使不将离子注入用基板载置部件加工成特别的形状，也能够防止离子被注入到基板的侧面。

发明效果

根据本发明，能够防止离子被注入到基板的侧面。

附图说明

图1是用于本发明的实施方式的离子注入装置的概要结构图。

图2是图1中示出的离子注入装置的输送托盘的放大图。

图3是表示本发明的实施方式所涉及的离子注入用基板载置部件的图。

图4是表示变形例所涉及的离子注入用基板载置部件的图。

图5是表示以往的离子注入用基板载置部件的图。