[发明专利]一种RC滤波器制造工艺

权利要求书

1.一种RC滤波器制造工艺，其特征在于，包括：

提供P型硅片；

在所述P型硅片上进行硼（B）扩散，制造P+区；

在所述P型硅片上依次进行干法氧化工艺、湿法氧化工艺、干法氧化工艺生长出厚度均匀的氧化层；

在所述P型硅片上依次进行多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电阻以及电容的上电极；

在所述P型硅片上依次进行溅射工艺、光刻、腐蚀工艺形成RC滤波器的金属层。

2.根据要求1所述的低温度系数滤波器制造工艺，其特征在于，生长氧化层前，对所述P型硅片进行超声处理、3#液清洗、漂酸、冲水以及甩干工艺。

3.根据要求1所述的低温度系数滤波器制造工艺，其特征在于，所述氧化层的厚度均匀，片内偏差控制在1%以内。

4.根据要求1所述的低温度系数滤波器制造工艺，其特征在于，多晶硅的掺杂使用三氯氧磷掺杂工艺，多晶硅的方块电阻控制在170Ω/□-190Ω/□。