[发明专利]一种RC滤波器制造工艺

说明书

技术领域

本发明属于电子元器件制造领域，特别涉及一种低温度系数RC滤波器制造工艺。

背景技术

在电子元器件领域，滤波器是一种应用广泛的产品。它的功能是用来消除干扰杂讯，对特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效滤除，得到一个特定的频率或者消除特定频率。在LCD、数码相机、移动电话、笔记本中都有应用。

滤波器的制造分为厚膜工艺和薄膜工艺。厚膜工艺生产的滤波器价格低廉、体积较大、温度系数较大，在体积大散热好的设备中应用较多；薄膜工艺生产的滤波器价格较高，但体积小、温度系数较小，满足现在高端消费类电子产品的要求，因此在高端消费类电子产品中占据主流。

但随着消费类电子产品的不断发展，对于电路中各种元器件的性能要求也进一步提高。目前滤波器的温度系数都在200ppm/℃以上，随着工作环境温度的升高，滤波器的电参数变差，严重时将会失去滤波功能，导致整机功能失效。因此需要降低滤波器的温度系数，提高产品的温度稳定性，满足客户要求。

发明内容

本发明提供了一种低温度系数RC滤波器制造工艺。该发明的特点是通过对多晶硅方块电阻的调节，降低电阻（R）的温度系数，同时调整氧化层的质量以及厚度均匀性提高电容（C）的精度，最终降低了RC滤波器的温度系数。

本发明提供了一种低温度系数RC滤波器制造工艺，包括：

提供一种P型硅片。

在所述P型硅片上进行硼（B）扩散，制造出P+区。

进一步的，在所述P型硅片上进行高温氧化工艺，生长的氧化层作为器件的介质层，并通过光刻腐蚀工艺去除电阻区的氧化层。

进一步的，采用多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻腐蚀工艺在所述P型硅片的正面形成电阻和电容的上电极。

进一步的，采用溅射工艺，并通过光刻腐蚀工艺在所述P型硅片的正面形成金属层。

进一步的，通过淀积氮化硅以及光刻腐蚀工艺，在所述P型硅片的正面形成钝化层。

本发明通过调节多晶硅的方块电阻，使多晶硅的温度系数降低，同时通过改善氧化层质量以及对氧化层厚度均匀性的精确控制使电容的精度提高，最终降低RC滤波器温度系数，提高了滤波器的温度稳定性,使滤波器产品的性能迈上一个新台阶。

附图说明

图1是本发明实施例的低温度系数RC滤波器剖面示意图。

图中：1-P型硅片，2-P+区，3-氧化层，4-电阻，5-钝化层，6-金属层，7-电容上电极

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种低温度系数RC滤波器制造工艺。电阻（R）由多晶硅的方块电阻以及多晶硅的长宽比决定，多晶硅的方块电阻影响电阻的温度系数，通过掺杂工艺调整多晶硅的方块电阻，降低电阻的温度系数；电容（C）的精度由介质层的质量和厚度决定，通过干氧-湿氧-干氧的氧化生长工艺控制氧化层的质量，同时将氧化层的均匀性控制在1%以内，这样电容的精度就能保证。通过以上两个工艺的调整，将RC滤波器的温度系数降到50ppm/℃，提高产品的温度稳定性。

下面结合具体的实施方案以及图1对本发明做进一步的说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精确的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明具体实施例的目的。

本实施例的低温度系数滤波器制造工艺，包括：

首先，选用P型硅片1。

其次，进行硼（B）扩散,制造出P+区2，作为低温度系数RC滤波器的高导电层。