[发明专利]磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法有效

专利信息
申请号: 201310137526.X 申请日: 2013-04-19
公开(公告)号: CN103236347A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 徐建波;祁三文;张敏;张锋锐;张燕庆 申请(专利权)人: 山西汇镪磁性材料制作有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;B22F3/14;B22F3/24
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源
地址: 030006 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 磁力线 辐射 发散 制作方法
【权利要求书】:

1.一种磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:

(1)、对具有磁力线β平行分布的磁块M进行表面清洁处理;

(2)、用不与磁块M发生物理化学反应的材料制备基座(100),所述基座(100)的顶部具有弧面(30),基座(100)上位于所述弧面(30)的下方形成有与弧面(30)弧度相同的弧形空腔(10),所述弧面(30)上开有与所述弧形空腔(10)联通的、布满弧面(30)的通孔(20);

(3)、将磁块M置于基座(100)的弧面(30)上;所述基座(100)的弧形空腔(10)内装有溅射靶材N,所述溅射靶材N是由Ⅰ类稀土材料和Ⅱ类金属材料构成的合金,所述Ⅰ类稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一种或几种以任意比例混合,占所述溅射靶材N总重量的范围是:大于等于80%且小于100%;所述Ⅱ类金属材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一种或几种以任意比例混合;

(4)、将磁块M和基座(100)一同置于真空烧结装置中,所述真空烧结装置内安装有可调节压力装置(300),所述可调节压力装置(300)的输出压力端安装有用不与磁块M发生物理化学发应的材料制备的、底部呈圆弧状的压力件(200),所述磁块M置于所述压力件(200)的圆弧状底部的下方;

(5)、分如下四阶段实施热处理工艺:

a、将真空烧结装置的真空度排至1×10-3Pa以下,同时启动加热系统升温至500℃,调节可调节压力装置(300)的输出压力至0.1~0.5MPa,压力件(200)在调节好的温度、压力下压磁块M,并保持1~2h; 

b、利用加热系统升温至500~600℃,调节可调节压力装置的输出压力至0.5~1MPa,压力件(200)在调节好的温度、压力下压磁块M,并在保持2~5h;

c、利用加热系统升温至600~700℃,调节可调节压力装置(300)的输出压力至1~1.5MPa,压力件(200)在调节好的温度、压力下压磁块M,并保持2~5h;

d、利用加热系统升温至700~1000℃,调节可调节压力装置(300)的输出压力至1.5~2MPa,压力件(200)在调节好的温度、压力下压磁块M,并保持4~24h;

通过上述热处理工艺处理后,所述磁块M的下表面形成其与所述基座(100)的弧面(30)相吻合的弧面,磁块M的上表面在压力下自然形成弧面;

(6)、冷却至室温后取出,完成将具有磁力线β平行分布的磁块M制成具有磁力线β聚焦成辐射状分布的磁瓦(400)。

2.根据权利要求1所述的磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法,其特征在于:所述步骤(5)中,升温的速度为5℃/min。

3. 根据权利要求1或2所述的磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法,其特征在于:所述步骤(2)中基座(100)的制备材料采用Mo、Hf、W、Ta、Nb、Zr的一种或以上几种以任意比例混合。

4.权利要求3所述的磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法,其特征在于:所述步骤(2)中基座(100)的弧面(30)上的通孔(20)为方孔,所述方孔成排规则地布满所述弧面(30)。

5.权利要求4所述的磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法,其特征在于:所述步骤(2)中的基座(100)在温度273K~1273K范围内的膨胀系数低于10X10-6m/K。

6.根据权利要求1或2所述的磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法,其特征在于:所述步骤(3)中溅射靶材N呈颗粒状。

7.根据权利要求6所述的磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法,其特征在于:所述步骤(3)中溅射靶材N中所述Ⅰ类稀土材料由Pr、Nd、Dy、Ho的一种或几种以任意比例混合,占溅射靶材总重量的90%以上;所述Ⅱ类金属材料由Ga、Al、Cu中的一种或几种以任意比例混合。

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