[发明专利]磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及磁瓦的制作方法，具体为制作磁力线辐射发散的磁瓦的方法。

背景技术

稀土就是化学元素周期表中镧系元素——镧（La）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钷（Pm）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、镱（Yb）、镥（Lu），以及与镧系的15个元素密切相关的元素——钪（Sc）和钇（Y）共17种元素，称为稀土元素。

现有的制备磁瓦的方法如下：通过成熟的烧结稀土-铁-硼系永磁体制备方法，首先制备出具有磁力线β平行分布的磁块M（如图7所示），然后通过线切割等机械加工工艺制备成瓦形，此方法制作的磁瓦的磁力线β仍然是平行分布，无法制造出磁力线β点点垂直于其圆弧面切平面方向的永磁瓦片。

发明内容

本发明为了解决目前缺乏一种制造出磁力线β点点垂直于其圆弧面切平面方向的永磁瓦片的方法的问题，提供了一种磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法。

本发明是采用如下技术方案实现的：

一种磁力线辐射发散的磁瓦的制作方法，包括如下步骤：

（1）、对具有磁力线β平行分布的磁块M进行表面清洁处理。

（2）、用不与磁块M发生物理化学反应的材料制备基座，所述基座的顶部具有弧面，基座内位于所述弧面的下方形成有与弧面弧度相同的弧形空腔，所述弧面上开有与所述弧形空腔联通的、布满弧面的通孔。

（3）、将磁块M置于基座的弧面上；所述基座的弧形空腔内装有溅射靶材N，所述溅射靶材N是由Ⅰ类稀土材料和Ⅱ类金属材料构成的合金，所述Ⅰ类稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一种或几种以任意比例混合，占所述溅射靶材N总重量的范围是：大于等于80%且小于100%；所述Ⅱ类金属材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一种或几种以任意比例混合（即占所述溅射靶材N总重量的范围是：大于0且小于等于20%）。

（4）、将磁块M和基座一同置于真空烧结装置中，所述真空烧结装置内安装有可调节压力装置，所述可调节压力装置的输出压力端安装有用不与磁块M发生物理化学发应的材料制备的、底部呈圆弧状的压力件，所述磁块M置于所述压力件的圆弧状底部的下方。

（5）、分如下四阶段实施热处理工艺：

a、将真空烧结装置的真空度排至1×10^-3Pa以下，同时启动加热系统升温至500℃，调节可调节压力装置的输出压力至0.1～0.5MPa，压力件在调节好的温度、压力下压磁块M，并保持1～2h； 

b、利用加热系统升温至500～600℃，调节可调节压力装置的输出压力至0.5～1MPa，压力件在调节好的温度、压力下压磁块M，并保持2～5h；

c、利用加热系统升温至600～700℃，调节可调节压力装置的输出压力至1～1.5MPa，压力件在调节好的温度、压力下压磁块M，并保持2～5h；

d、利用加热系统升温至700～1000℃，调节可调节压力装置的输出压力至1.5～2MPa，压力件在调节好的温度、压力下压磁块M，并保持4～24h；

通过上述热处理工艺处理后，所述磁块M的下表面形成其与所述基座的弧面相吻合的弧面，磁块M的上表面在压力下自然形成弧面。

（6）、冷却至室温后取出，完成将具有磁力线β平行分布的磁块M制成具有磁力线β聚焦成辐射状分布的磁瓦。

制备上述溅射靶材N采用本领域通用的熔融合金制备方法即可，不存在技术难度。可调节压力装置为本领域常用装置，本领域技术人员容易实现。

上述所用的溅射靶材N选取由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一种或几种以任意比例混合形成的Ⅰ类稀土材料，占所述溅射靶材N总重量的80%以上；同时为改善材料的特性，还在此Ⅰ类稀土材料中添加由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一种或几种以任意比例构成的Ⅱ类金属材料；用以满足蒸发并发生溅射时在磁块M表面发生附着的要求。