[发明专利]复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H2传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H₂传感器，其特征在于：由作为绝缘层的Al₂O₃陶瓷管、设置在Al₂O₃陶瓷管内部的镍镉合金加热丝、涂覆在Al₂O₃陶瓷管表面的第一NASICON离子导电层、制备在第一NASICON离子导电层表面的敏感电极、涂覆在敏感电极及第一NASICON离子导电层表面的第二NASICON离子导电层、制备在第二NASICON离子导电层表面的钝化参考电极组成，其中敏感电极为环形网状的Au材料，钝化参考电极由环形网状的Au材料及在其上涂覆的一层复合金属氧化物电极材料CoCr_xMn_2-xO₄构成，其中0.8≤x≤1.2。

2.权利要求1所述的一种复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H₂传感器的制备方法，其步骤如下：

1)将NASICON与去离子水混合均匀成糊状，均匀涂覆在Al₂O₃陶瓷管表面，干燥后在500～700℃下烧结4～6小时，从而在陶瓷管表面形成厚度为0.2mm～0.5mm的第一NASICON离子导电层；

2)在第一NASICON离子导电层表面制作宽度为1～2mm的环形网状Au电极，作为敏感电极，厚度为60～80μm，并在Au电极上引出Pt导线，于800～850℃烧结0.4～0.6小时；

3)在第一NASICON离子导电层表面用涂覆的方法形成第二NASICON离子导电层，在850～950℃下烧结5～6小时；

4)在第二NASICON离子导电层表面制作宽度为1～2mm的环形网状Au电极，在Au电极上引出Pt导线，并在Au电极上涂覆复合金属氧化物电极材料CoCr_xMn_2-xO₄，作为参考电极，厚度为0.1～0.3mm，干燥后在600～1000℃下烧结3～4个小时；

5)将3～5Ω/mm的镍镉加热线圈穿过Al₂O₃陶瓷管内作为加热器，进行焊接、封装，从而得到复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H₂传感器。

3.如权利要求2所述的一种复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H₂传感器的制备方法，其特征在于：是将0.8～1.2mol Cr（NO₃）₃、1mol Co（NO₃）₂、1.2～0.8mol Mn（NO₃）₂溶于20～50ml去离子水中，且Cr（NO₃）₃和Mn（NO₃）₂的摩尔数和与Co（NO₃）₂摩尔数的比为2：1，再加入10～15ml的浓硝酸和80～100ml的乙二醇，60～80℃水浴20～30小时，得到溶胶；在80～100℃下形成凝胶，在160～180℃下形成干凝胶，最后在600～1000℃下烧结6～8小时，从而得到复合金属氧化物电极材料CoCr_xMn_2-xO₄，其中0.8≤x≤1.2。