[发明专利]基板处理装置用托盘无效
申请号: | 201310141613.2 | 申请日: | 2013-04-22 |
公开(公告)号: | CN103377978A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 金洪习 | 申请(专利权)人: | 杰荷拉公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 托盘 | ||
1.一种基板处理装置用托盘,包括:
下部板,其配备有基板安置部和基板冷气注入路,其中,所述基板安置部在上面安置基板,所述基板冷气注入路从所述基板安置部的底面向下方的外部贯通,使外部的氦气注入到基板的下面;以及
上部板,其在基板配置于所述基板安置部的状态下覆盖所述下部板的上面,利用连结件固定于所述下部板,为使除所述基板的外缘的其余中央部暴露于外部的等离子体而具有相应部位上下贯通的贯通孔;
而且,
在所述下部板的上面与上部板的下面之间形成有空隙,其特征在于:
还具备用于抑制因所述等离子体的加热而造成所述上部板的温度上升的温度上升抑制装置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
所述温度上升抑制装置向配置于所述下部板的上面与上部板的下面之间的空隙供应所述冷却介质,抑制所述上部板的温度上升。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
所述冷却介质是向所述基板的下面注入的所述氦气,
在与所述上部板的下面垂直对应的所述下部板的相应部位,配备有从所述下部板的下面外部向所述空隙连通的上部板冷气注入路,以便氦气注入,使得抑制所述上部板的温度上升。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
所述上部板冷气注入路在连接所述下部板与上部板的所述连结件周围配备多个。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
为防止通过所述上部板冷气注入路注入所述空隙的气体泄漏到外部而在所述连结件的外周部配备有密封构件。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
为防止通过所述上部板冷气注入路注入所述空隙的气体泄漏到外部而在所述贯通孔的相邻外缘下面与所述下部板的上面之间配备有密封构件。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
为防止通过所述上部板冷气注入路注入所述空隙的气体泄漏到外部而在所述上部板的外缘下面与所述下部板的上面外缘之间配备有密封构件。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
所述上部板的贯通孔呈内周面向上倾斜的倾斜面结构,以便在固定于其下方的所述基板表面,在反应气体的流动中不发生乱流。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
所述基板安置部呈凹陷结构。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
所述基板安置部呈凸出结构。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置用托盘,其特征在于:
所述基板安置部呈平坦结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造