[发明专利]基板处理装置用托盘

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置用托盘，更详细地说涉及一种通过配备温度上升抑制装置，使得向下部板的上面与上部板的下面之间的空隙供应氦气，能够抑制因等离子体的加热而造成上部板的温度上升，从而能够根本上抑制上部板的温度上升，同时能够防止基板的歪曲现象，因而能够保持均一的基板钳位(clamping)，并能够防止氦气泄漏现象，结果使得能够预先切断在基板上形成的图案损伤(demage)，能够促进全面提高产品质量及因而提高可靠性的基板处理装置用托盘。

背景技术

一般所谓晶圆(wafer)，作为集成电路的基板，是指具有多种直径大小的蓝宝石(sapphire)或单晶硅(Single Crystal Silicon)的薄圆板结构。

为对这种晶圆(基板)进行蚀刻等工序，配备有另外的基板处理装置。

而且，在所述基板处理装置中，配备有在所述晶圆处理期间用于固定支持的另外的托盘。

这种所述托盘为提高等离子体工序腔的生产率，具有用于处理多个晶圆的功能。

特别是发光二极管(Light Emitting Diode)制造工序中的在基板表面形成凹凸的图形蓝宝石衬底(PSS：Patterned Shappire substrate)工序，可以极大提高发光二极管的光效率，最近使用很多。

而且，蓝宝石基板作为非常坚硬的物质，蚀刻速度非常低，为了提高生产率，使用用于处理多张蓝宝石基板的托盘，此时，托盘暴露于等离子体的时间延长，托盘的上部板的温度如果上升得高，则发生因温度上升导致的托盘歪曲。

而且，托盘的歪曲使蓝宝石基板的钳位不均一，发生氦气的泄漏现象。

而且，如果发生氦气的泄漏现象，则基板表面的温度上升，发生光刻胶燃烧(photoresistbuming)，或发生图案的歪曲现象。

作为一个示例，简要考查以往使用的普通的基板处理装置，如图1所示，包括腔(10)、装载锁(20)、气门嘴槽(30)、等离子体发生器(40)等构成，其中，所述腔(10)在内部具有空间，所述装载锁(20)配置于所述腔(10)的相邻侧部，具有托盘移送装置(21)，所述气门嘴槽(30)使所述腔与装载锁连接，所述等离子体发生器(40)配备于所述腔(10)的上方，具备用于向腔(10)内部发生等离子体的等离子体发生天线(41)。

而且，在所述腔(10)内，配备有用于支撑基板(5)的托盘(50)，在其相邻部，配备有用于固定支撑所述托盘(50)的托盘夹钳(11)，在所述托盘(50)的下方，配备有基座(或电极)(12)。

而且，在所述腔(10)的外部，配备有用于向所述托盘(50)的下面供应氦气的氦供应装置(图中未示出)，该氦供应装置的氦气通过另外的气体供应管(13)向所述托盘供应。

未说明符号14代表密封构件，15代表绝缘构件。

另一方面，对以往技术的托盘(50)进行简要考查，如图2及图3所示，其包括下部板(51)及上部板(53)，所述下部板(51)配备有基板安置部(51a)和基板冷气注入路(51b)，其中，所述基板安置部(51a)凹陷形成，以便能够在上面安放配置基板(5)，所述基板冷气注入路(51b)从所述基板安置部(51a)的底面向下方的外部贯通，以便外部的氦气注入基板(5)的下面；所述上部板(53)在基板(5)配置于所述基板安置部(51a)的状态下覆盖所述下部板(51)的上面，利用连结件(52)固定于所述下部板(51)，为使除所述基板(5)的外缘的其余中央部暴露于外部的等离子体而具有处于与所述基板(5)同一直线上的相应部位上下贯通的贯通孔(53a)；借助于比所述基板安置部(51a)向上方凸出的基板(5)，在所述下部板(51)的上面与上部板(52)的下面之间形成有空隙(54)。

其中，所述下部板的基板安置部(51a)与所述上部板(53)的贯通孔(53a)分别对应地配备有多个，所述上部板(53)的贯通孔(53a)具有比所述基板(5)的直径更小的直径，当上部板(53)覆盖于所述基板(5)上时，使所述基板(5)的上面挂接于所述贯通孔(53a)的外缘下面。

而且，在作为所述基板冷气注入路(51b)的外周部的所述基板安置部(51a)的外缘与基板(5)的外缘之间，配备有用于切断通过所述基板冷气注入路(51b)供应的氦气泄漏的密封构件(55)。

就这种构成的以往技术的基板处理装置用托盘而言，首先解除连结件(52)，使所述上部板(53)从所述下部板(51)分离后，使相应基板(5)安置到所述下部板(51)的各基板安置部(51a)。