[发明专利]一种DRAM双芯片堆叠封装结构和封装工艺

权利要求书

1.一种DRAM双芯片堆叠封装结构，包括第一芯片（12a）、第二芯片（11a）和设有基板电路的基板（16a），其特征在于，所述第一芯片（12a）贴装在所述基板（16a）预定位置，且该第一芯片（12a）的有源面为贴装面的相对面；通过键合线与所述基板（16a）电气连接的中介基板（13a）的第一面与所述第一芯片（12a）电气连接，而中介基板（13a）上与第一面相对的第二面则与所述第二芯片（11a）的有源面电气连接。

2.根据权利要求1所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述中介基板（13a）与第一芯片（12a）、第二芯片（11a）间留有填充间隙，从而在填充间隙填充填充剂（111a）并固化后形成填充层。

3.根据权利要求1或2所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述中介基板基于倒装芯片的线路板，相应地在所述第一面和第二面上形成有用于电气和机械连接的第一面凸点和第二面凸点。

4.根据权利要求4所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第一面凸点和第二面凸点为在选定位置沉积形成的锡球。

5.根据权利要求4所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述中介基板内形成由导线构成的传输线，传输线的起点接有对应的第一面凸点或者第二面凸点，而在传输线的末端形成有用于键合所述键合线的焊盘。

6.根据权利要求5所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，用作电源线或接地线的所述传输线的宽度大于用作信号线的传输线的宽度。

7.根据权利要求1所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，若第一芯片（12a）与第二芯片（11a）尺寸相同，则中介基板（13a）与第一芯片的纵向比为1：1，横向比为1.05：1~1.15：1；若第一芯片（12a）的尺寸大于第二芯片的尺寸，则中介基板（13a）与第一芯片（12a）的纵向比为1：1，横向比为1：1。

8.一种DRAM双芯片堆叠封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）刷胶，匹配第一芯片（12a）在基板（16a）上的贴装位置进行刷胶，位置精度应控制在15μm内；

（2）贴第一芯片（12a），将第一芯片（12a）有源面的相对面贴装于所述贴装位置，上片精度控制在3μm内；

（3）涂敷填充剂，涂敷预定厚度的填充剂于第一芯片（12a）的有源面，并裸露电气用于电气连接的部分；

（4）贴中介基板（13a），将中介基板（13a）贴装在形成填充基层的第一芯片（12a）的有源面上，匹配电气连接，上片精度控制在3μm内；

（5）涂敷填充剂，涂敷预定厚度的填充剂于中介基板（13a）贴装第一芯片的（12a）的相对面上，并裸露用于电气连接的部分；

（6）贴装第二芯片，将第二芯片（11a）贴装在中介基板（13a）上，形成电气连接，上片精度控制在3μm内；

（7）回流焊，完成步骤（6）后的结构体送入回流焊炉进行回流焊，回流焊温度控制在245℃±2℃，使第一芯片与中介基板以及第二芯片与中介基板间的电气连接焊接并使填充剂固化；

（8）打线，将中介基板（13a）与基板（16a）用键合线匹配连接起来；

（9）塑封；

（10）植球，将锡球焊接在塑封后的封装体外接点上。

9.根据权利要求8所述的DRAM双芯片堆叠封装方法，其特征在于，中介基板（13a）内为铜传输线，采用蚀刻工艺成型在线路板上，用于连接第一芯片和第二芯片的表面凸点为锡焊点，采用电镀方式形成在铜传输线的选定节点。