[发明专利]一种多腔室等离子处理装置及其压力测试方法

说明书

本发明提供了一种多腔室等离子处理装置，其中，所述等离子处理装置包括至少两个子腔室，在两个子腔室之间的隔离壁上具有开口，在每个子腔室内部的基台上都放置有基片进行制程，其中，所述等离子处理腔室上设置有一压力测试装置，其分别连接于所述每个子腔室，在所述压力测试装置和每个子腔室之间还分别串联有一个阀门。本发明还提供了用于上述多腔室等离子处理装置的压力测试方法。本发明的测试机制能够单独对多腔室等离子处理装置的每个子腔室进行单独测试，准确度得到了提高，并且能够延长压力测试装置的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种多腔室等离子处理装置及其压力测试方法。

背景技术

等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来激发和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。

在包括多腔室等离子处理装置中，多个子腔室上承载的基片同时进行同一制程反应。以两个子腔室的等离子处理装置为例，其包括两个子腔室具有相同的制程压力，通入相同的制程气体，通入射频能量对制程气体进行等离子激发，以在同一时刻开始进行同一制程，待该制程完成以后再进入下一制程。

在整个制程过程中需要实时监控每个子腔室的压力值，在现有技术的多腔室等离子处理装置中，所有子腔室共用一个压力测试装置，在压力测试装置获得读数以后再取平均值，并认为该平均值就是每个腔室的压力值。但是，这样的测试机制忽略了每个腔室的互相影响。特别是在仅使用一个子腔室的情况下，由于另外一个子腔室并不进行制程，所以不需要获得该子腔室的压力值，而由于该子腔室并未进行制程其中的内部环境和执行制程的子腔室的内部环境截然不同，如果还是按照现有技术的压力测试机制，将产生较大误差。

因此，业内需要一种能够分别测试各个子腔室的压力测试机制，且能够提高测试精度。

发明内容

针对背景技术中的上述问题，本发明提出了一种用于多腔室等离子处理装置和压力测试方法。

本发明第一方面提供了一种多腔室等离子处理装置，其中，所述等离子处理装置包括至少两个子腔室，在两个子腔室之间的隔离壁上具有开口，在每个子腔室内部的基台上都放置有基片进行制程，其中，所述等离子处理腔室上设置有一压力测试装置，其分别连接于所述每个子腔室，在所述压力测试装置和每个子腔室之间还分别串联有一个阀门。

进一步地，通过所述阀门的开关和闭合能够控制所述压力测试装置与腔室的压力连通。

进一步地，所述压力测试装置包括压力计。

进一步地，所述阀门包括三通挡板阀、三通截止阀。

进一步地，所述等离子处理装置的下部还设置了一真空泵，其能够将每个子腔室的制程冗余和杂质排出制程区域。

进一步地，所述等离子处理装置还包括一气体源，其能够将制程气体分别输送入每个子腔室。

进一步地，所述气体源能够通过每个子腔室顶部设置的气体喷淋头将制程气体输送到每个子腔室的制程区域。

进一步地，所述每个子腔室的基台上的基片外围还设置有一聚焦环。

进一步地，所述每个子腔室的基台外围还设置有约束环。

本发明第二方面提供了一种如第一方面所述的多腔室等离子处理装置的压力测试方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

在单位时间内将所述等离子处理装置的其中一个子腔室和所述压力测试装置之间的阀门开启，而关闭其他所有阀门；

在所述压力测试装置获得读数以后，关闭该阀门。