[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。因此，有必要提高OLED的发光效率。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的掺杂层、功函数为2.0eV～3.5eV的低功函金属层和金属硫化物层组成，本发明提高了器件的导电能力和发光效率。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的掺杂层、功函数为2.0eV～3.5eV的低功函金属层和金属硫化物层组成，所述掺杂层的材质为金属硫化物和金属酞菁类化合物以质量比1:0.1～1:0.4形成的混合材料，所述金属酞菁类化合物为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）和酞菁钒（VPc）中的一种，所述金属硫化物为硫化锌（ZnS）、硫化镉（CdS）、硫化镁（MgS）和硫化铜（CuS）中的一种；所述低功函金属层材质为镁（Mg）、锶（Sr）、钙（Ca）和镱（Yb）中的一种；所述金属硫化物层的材质为硫化锌（ZnS）、硫化镉（CdS）、硫化镁（MgS）和硫化铜（CuS）中的一种。

优选地，所述掺杂层的厚度为100～300nm。

优选地，所述功函数为2.0eV～3.5eV的低功函金属层的厚度为5～20nm。

优选地，所述金属硫化物层的厚度为200～400nm。

优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO）中的一种，更优选为ITO。

优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）和五氧化二钒（V₂O₅），厚度为20～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO₃，厚度为25nm。

优选地，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）和N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的一种，所述空穴传输层的厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm。

优选地，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq₃）中的一种，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq₃，厚度为25nm。

优选地，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的一种，厚度为40～300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为100nm。