[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，其特征在于，所述复合阴极层包括依次叠层设置的金属层、有机硅小分子层和VB族金属氧化物层，

所述金属层的材料为银、铝、铂或金；所述有机硅小分子层的材料为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；所述VB族金属氧化物层的材料为五氧化二钽、五氧化二钒或五氧化二铌。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属层的厚度为100～300nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机硅小分子层的厚度为5～40nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述VB族金属氧化物层的厚度为200～500nm。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在导电阳极基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

在所述电子注入层上制备复合阴极层：先通过真空蒸镀的方式在所述电子注入层上依次制备金属层和有机硅小分子层，再通过电子束蒸镀的方式在所述有机硅小分子层上制备VB族金属氧化物层，得到有机电致发光器件；

所述金属层的材料为银、铝、铂或金；所述有机硅小分子层的材料为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；所述VB族金属氧化物层的材料为五氧化二钽、五氧化二钒或五氧化二铌；

所述真空蒸镀过程中，真空度为2×10^-3～5×10^-5Pa，所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm²，所述有机硅小分子层的材料蒸镀速率为0.1～1nm/s，所述金属层和VB族金属氧化物层的材料蒸镀速率为1～10nm/s。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属层的厚度为100～300nm。

7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机硅小分子层的厚度为5～40nm。

8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述VB族金属氧化物层的厚度为200～500nm。