[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到器件外部，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，这是由于界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致发光器件的整体出光性能较低。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。通过在电子注入层上制备复合阴极层，提高了有机电致发光器件的发光效率。

一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，所述复合阴极层包括依次叠层设置的金属层、有机硅小分子层和VB族金属氧化物层，

所述金属层的材料为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）；所述有机硅小分子层的材料为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）；所述VB族金属氧化物层的材料为五氧化二钽（Ta₂O₅）、五氧化二钒（V₂O₅）或五氧化二铌（Nb₂O₅）。

优选地，所述金属层的厚度为100～300nm。

优选地，所述有机硅小分子层的厚度为5～40nm。

优选地，所述VB族金属氧化物层的厚度为200～500nm。

复合阴极层包括依次叠层设置的金属层、有机硅小分子层和VB族金属氧化物层。在电子注入层之上制备一层金属层，主要是起到透光和增强导电性的作用，然后再制备一层宽能隙的有机硅小分子层，该层的有机硅小分子材料在室温下即可结晶，结晶后的晶体结构对光有很强的散射作用，可对光进行散射，使本来向侧面发射的光经过散射，回到器件中间，而再制备一层VB族金属氧化物层，由于VB族金属氧化物材料原子半径较大，蒸镀后可使器件表面形成一层微球状的形态，相当于起到一个微透镜阵列的作用，可对光进行反射，使光通过全反射反射回到底部出射，最终提高发光效率。

导电阳极基板可以为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO）。更优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃。

空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。

优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅），空穴注入层的厚度为20～80nm。

更优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃），厚度为40nm。

优选地，空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm。

更优选地，空穴传输层的材质为N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为50nm。

优选地，发光层的发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），厚度为5～40nm。

更优选地，发光层的发光材料为4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi），厚度为30nm。