[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、金属硫化物掺杂层、酞菁类金属化合物掺杂层和金属硫化物层，所述金属硫化物掺杂层、酞菁类金属化合物掺杂层和金属硫化物层组成阴极复合层；

所述金属硫化物掺杂层的材料为折射率为1.8～2.0的金属硫化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属按照质量比例为0.5:1～2:1混合得到的混合物；

所述酞菁类金属化合物掺杂层的材料为酞菁类金属化合物和所述功函数为-4eV～-5.5eV的金属按照质量比为1:1～1:2混合得到的混合物；

所述金属硫化物层的材料为所述折射率为1.8～2.0的金属硫化物。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述折射率为1.8～2.0的金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜；

所述功函数为-4eV～-5.5eV的金属为银、铝、铂或金；

所述金属硫化物掺杂层的厚度为10nm～40nm。

3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；

所述酞菁类金属化合物掺杂层的厚度为20nm～80nm。

4.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属硫化物层的厚度为100nm～300nm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm～40nm。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40nm～300nm。

9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氟化锂，所述电子注入层的厚度为0.5nm～10nm。

10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

对导电阳极基底进行表面预处理；

在所述导电阳极基底上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

在所述电子注入层上电子束蒸镀形成金属硫化物掺杂层，其中，所述电子束蒸镀的能量密度为10W/cm²～l00W/cm²，所述金属硫化物掺杂层的材料为折射率为1.8～2.0的金属硫化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属按照质量比例为0.5:1～2:1混合得到的混合物；

在所述金属硫化物掺杂层上依次蒸镀形成酞菁类金属化合物掺杂层和金属硫化物层，所述金属硫化物掺杂层、酞菁类金属化合物掺杂层和金属硫化物层组成阴极复合层，其中，所述酞菁类金属化合物掺杂层的材料为酞菁类金属化合物和所述功函数为-4eV～-5.5eV的金属按照质量比为1:1～1:2混合得到的混合物，所述金属硫化物层的材料为所述折射率为1.8～2.0的金属硫化物。