[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从导电阳极基底注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的有机电致发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光较低，从而导致器件的发光效率较低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、金属硫化物掺杂层、酞菁类金属化合物掺杂层和金属硫化物层，所述金属硫化物掺杂层、酞菁类金属化合物掺杂层和金属硫化物层组成阴极复合层；

所述金属硫化物掺杂层的材料为折射率为1.8～2.0的金属硫化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属按照质量比例为0.5:1～2:1混合得到的混合物；

所述酞菁类金属化合物掺杂层的材料为酞菁类金属化合物和所述功函数为-4eV～-5.5eV的金属按照质量比为1:1～1:2混合得到的混合物；

所述金属硫化物层的材料为所述折射率为1.8～2.0的金属硫化物。

在一个实施例中，所述折射率为1.8～2.0的金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜；

所述功函数为-4eV～-5.5eV的金属为银、铝、铂或金；

所述金属硫化物掺杂层的厚度为10nm～40nm。

在一个实施例中，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；

所述酞菁类金属化合物掺杂层的厚度为20nm～80nm。

在一个实施例中，所述金属硫化物层的厚度为100nm～300nm。

在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。

在一个实施例中，所述空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。

在一个实施例中，所述发光层的材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm～40nm。

在一个实施例中，所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40nm～300nm。

在一个实施例中，所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氟化锂，所述电子注入层的厚度为0.5nm～10nm。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

对导电阳极基底进行表面预处理；

在所述导电阳极基底上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

在所述电子注入层上电子束蒸镀形成金属硫化物掺杂层，其中，所述电子束蒸镀的能量密度为10W/cm²～l00W/cm²，所述金属硫化物掺杂层的材料为折射率为1.8～2.0的金属硫化物和功函数为-4eV～-5.5eV的金属按照质量比例为0.5:1～2:1混合得到的混合物；