[发明专利]提供多个保护级别的ESD保护电路

权利要求书

1.一种静电放电即ESD保护电路，其包括：

衬底，其具有半导体表面；

在所述半导体表面中的多个堆叠ESD保护单元，所述多个堆叠ESD保护单元的每个具有围绕的隔离结构，其中所述多个堆叠ESD保护单元通过互连而串联连接并且包括至少与第二ESD保护单元串联的第一ESD保护单元，以及

多个保护管脚，其包括：跨所述第一ESD保护单元但不跨所述第二ESD保护单元的第一保护管脚，以提供第一额定电压；以及跨所述第一和所述第二ESD保护单元两者的第二保护管脚，以提供比所述第一额定电压更高的第二额定电压。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述半导体表面包括硅。

3.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述多个堆叠ESD保护单元是单向器件。

4.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述衬底具有第一掺杂物类型，并且所述围绕的隔离结构是包括所述第一掺杂物类型的隔离扩散的结隔离，所述结隔离从所述半导体表面向下延伸从而提供到所述衬底的电阻耦合。

5.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述衬底是绝缘体上半导体即SOI衬底，其包括在所述半导体表面之下的覆盖电介质层，其中所述半导体表面包括多个电介质隔离的半导体岛，并且其中各个所述多个堆叠ESD保护单元在所述电介质隔离的半导体岛的相应岛中。

6.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中与所述第二ESD保护单元相比，所述第一ESD保护单元具有不同的布局和不同的额定电压。

7.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述多个堆叠ESD保护单元布置在多行和多列中。

8.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述多个堆叠ESD保护单元以非线性配置布置。

9.一种静电放电即ESD保护电路，其包括：

绝缘体上半导体即SOI衬底，其包括在半导体表面之下的覆盖电介质层，所述半导体表面包括多个电介质隔离的半导体岛；

多个堆叠ESD保护单元，其具有在所述电介质隔离的半导体岛的相应岛中的各个所述多个堆叠ESD保护单元，其中所述多个堆叠ESD保护单元通过互连而串联连接并且包括至少与第二ESD保护单元串联的第一ESD保护单元，以及

多个保护管脚，其包括：跨所述第一ESD保护单元但不跨所述第二ESD保护单元的第一保护管脚，以提供第一额定电压；以及跨所述第一和所述第二ESD保护单元两者的第二保护管脚，以提供比所述第一额定电压更高的第二额定电压。

10.一种集成电路即IC，其包括：

衬底，其具有半导体表面；

在所述半导体表面上配置为实现并执行功能的功能电路，所述功能电路具有多个端子，所述多个端子包括至少第一端子和接地端子；

在所述半导体表面上的静电放电即ESD保护电路，所述ESD保护电路包括：

多个堆叠ESD保护单元，每个都具有围绕的隔离结构，其中所述多个堆叠ESD保护单元通过互连而串联连接并且包括至少与第二ESD保护单元串联的第一ESD保护单元，以及

多个保护管脚，其包括：跨所述第一ESD保护单元但不跨所述第二ESD保护单元的第一保护管脚，以提供第一额定电压；以及跨所述第一和所述第二ESD保护单元两者的第二保护管脚，以提供比所述第一额定电压更高的第二额定电压；以及接地管脚，

其中所述第一端子耦合到所述第一保护管脚或所述第二保护管脚，并且其中所述接地端子连接到所述接地管脚。

11.根据权利要求10所述的IC，其中所述半导体表面包括硅。

12.根据权利要求10所述的IC，其中所述多个堆叠ESD保护单元是单向器件。

13.根据权利要求10所述的IC，其中所述多个堆叠ESD保护单元提供双向保护。

14.根据权利要求10所述的IC，其中所述衬底具有第一掺杂物类型，并且所述围绕的隔离结构是包括所述第一掺杂物类型的隔离扩散的结隔离，所述结隔离从所述半导体表面向下延伸从而提供到所述衬底的电阻耦合。