[发明专利]具有类似RAM和ROM单元的半导体存储器有效
| 申请号： | 201310150378.5 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103377699A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 丹·克里斯蒂安·劳恩·延森 | 申请（专利权）人： | GN瑞声达A/S |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谢晨;刘光明 |
| 地址： | 丹麦巴*** | 国省代码： | 丹麦;DK |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 类似 ram rom 单元 半导体 存储器 | ||
1.一种半导体存储器，包括：
易失性存储器单元的阵列，其中所述易失性存储器单元中的一个具有连接在第一存储器单元电路中的晶体管；以及
至少一个非易失性存储器单元，具有连接在第二存储器单元电路中的晶体管，其中所述第一存储器单元电路中的晶体管比所述第二存储器单元电路中的晶体管至少多一个。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第一存储器单元电路是静态第一存储器单元电路。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器，所述第一存储器单元电路中的晶体管被连接为两个交叉耦合的反相器。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其中所述两个交叉耦合的反相器包括场效应晶体管。
5.根据权利要求3所述的半导体存储器，其中所述两个交叉耦合的反相器包括双极晶体管。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述易失性存储器单元包括CMOS易失性存储器单元。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述至少一个非易失性存储器单元包括至少一个CMOS非易失性存储器单元。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述半导体存储器是多端口存储器。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述至少一个非易失性存储器单元包括掩模可编程非易失性存储器单元。
10.根据权利要求9所述的半导体存储器，其中通过提供扩散掩模来获得所述第二存储器单元电路。
11.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第一存储器单元电路和所述第二存储器单元电路具有基本上相同的配置。
12.一种助听器，包括根据权利要求1所述的半导体存储器以及数字信号处理器。
13.根据权利要求12所述的助听器，其中所述至少一个非易失性存储器单元包括引导装入程序。
14.根据权利要求12所述的助听器，其中所述至少一个非易失性存储器单元包含用于听力损失补偿的程序。
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