[发明专利]半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体元件，在所述第一半导体元件第一表面处设置有第一外部连接端子；

第二半导体元件，设置在所述第一半导体元件的第二表面侧，所述第二表面处于所述第一表面的相对侧；

第二外部连接端子，连接至所述第二半导体元件，且被配置为与所述第一外部连接端子一起连接至布线板；以及

密封构件，密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件，且暴露所述第一外部连接端子的被配置为连接至所述布线板的部分以及所述第二外部连接端子的被配置为连接至所述布线板的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体元件具有第一电极、第二电极以及用于控制在所述第一电极和所述第二电极之间流动的电流的控制电极，所述第一外部连接端子包括分别连接至所述第一电极、所述第二电极以及所述控制电极的第一外部连接子端子、第二外部连接子端子以及外部连接控制端子。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一电极和所述第二电极大于所述控制电极。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述第二外部连接端子是引线框的引线端子，且所述第一半导体元件和所述第二半导体元件被分别安装在所述引线框的裸片台的第一表面和处于其相对侧的第二表面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述裸片台直接连接至所述引线框的多个引线端子中的至少一个。

6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，还包括中继衬底，其中，

所述第二半导体元件经由所述中继衬底连接至所述第二外部连接端子，以及

所述第一半导体元件布置在所述中继衬底的开口内。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二外部连接端子布置在所述中继衬底的第一表面，所述第一表面从所述密封构件暴露。

8.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述第一半导体元件是氮化镓型半导体元件。

9.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述第一半导体元件是具有位于AlGaN与GaN之间的异质结的氮化镓型半导体元件。

10.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述第二半导体元件是控制所述第一半导体元件运行的用于控制的半导体元件。

11.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述第一外部连接端子是突出电极。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述突出电极是凸块或球。

13.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述第二半导体元件和所述第二外部连接端子通过布线连接。

14.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是QFP型。

15.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是DIP型。

16.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是QFN型。

17.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是BGA。

18.一种半导体器件模块，包括：

布线板，以及

半导体器件，所述半导体器件包括：

第一半导体元件，在所述第一半导体元件第一表面处设置有第一外部连接端子；

第二半导体元件，设置在所述第一半导体元件的第二表面侧，所述第二表面处于所述第一表面的相对侧；

第二外部连接端子，连接至所述第二半导体元件，且与所述第一外部连接端子一起连接至所述布线板；以及

密封构件，密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件，且暴露所述第一外部连接端子的连接至所述布线板的部分以及所述第二外部连接端子的连接至所述布线板的部分。