[发明专利]半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本文讨论的实施例涉及一种半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法。

背景技术

在被安装在布线板上的高输出半导体元件或高频半导体元件上层叠和安装另一个半导体元件已经被提出。高输出半导体元件或高频半导体元件经由布线板的通孔连接至设置在布线板底面的外部连接端子。

设置接触高输出半导体元件顶面的用于散热的元件以及在底面设置与用于信号的凸块尺寸相同的用于散热的虚设凸块已经被提出，以实现从高输出半导体元件的顶面和底面散热。

在封装的底面经由一绝缘层内的布线暴露被布置在布线板的开口内并被该绝缘层密封的芯片底面的端子。

提出了这样一种封装：其中第一芯片和第二芯片被布置在密封树脂内，且下侧芯片底面处的电极经由被嵌入该树脂中的引线连接至在封装底面被暴露的端子。

[相关专利文件]

第2005-327805号日本特开专利公开文件

第2007-234638号日本特开专利公开文件

第2009-176839号日本特开专利公开文件

第2009-212250号日本特开专利公开文件

第2008-91418号日本特开专利公开文件

发明内容

实施例的一个方案的目的是提供一种半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法，该半导体器件是这样的结构：其中至少两个半导体元件被安装以便将一个层叠在另一个上，且该半导体器件能够使大的电流流动，并且能够有效散热。

根据实施例的一个方案，一种半导体器件，包括：

第一半导体元件，在所述第一半导体元件第一表面处设置有第一外部连接端子；

第二半导体元件，设置在所述第一半导体元件的第二表面侧，所述第二表面处于第一表面的相对侧；

第二外部连接端子，连接至第二半导体元件，且被配置为与第一外部连接端子一起连接至布线板；以及

密封构件，密封第一半导体元件和第二半导体元件，且暴露第一外部连接端子的被配置为连接至布线板的部分以及第二外部连接端子的被配置为连接至布线板的部分。

根据实施例的另一个方案，一种半导体器件模块，包括：

布线板，以及

半导体器件，所述半导体器件包括：

第一半导体元件，在所述第一半导体元件第一表面处设置有第一外部连接端子；

第二半导体元件，设置在所述第一半导体元件的第二表面侧，所述第二表面处于所述第一表面的相对侧；

第二外部连接端子，连接至所述第二半导体元件，且与所述第一外部连接端子一起连接至所述布线板；以及

密封构件，密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件，且暴露所述第一外部连接端子的连接至所述布线板的部分以及所述第二外部连接端子的连接至所述布线板的部分。

根据实施例的又一个方案，一种半导体器件的制造方法，包括：

制备一组件，所述组件具有：第一半导体元件，具有第一表面和处于所述第一表面相对侧的第二表面，且具有处于所述第一表面的第一外部连接端子；第二半导体元件，布置在所述第一半导体元件的所述第二表面侧；以及第二外部连接端子，连接至所述第二半导体元件；

在所述第一外部连接端子被保护片覆盖的状态下，通过密封材料密封至少所述第一半导体元件和所述第二半导体元件；以及

剥离所述保护片，并暴露所述第一外部连接端子

采用本申请实施例提供的技术方案，外部连接端子直接连接至母板，因而能够使大的电流流动。另外，第一半导体元件的热量能够有效地从外部连接端子直接散发到母板，因而，能够有效散热。

附图说明

图1A为用于说明优选地在第一实施例至第三实施例的半导体器件和半导体器件模块中使用的GaN芯片的示意性平面图；

图1B为用于说明优选地在第一实施例至第四实施例的半导体器件和半导体器件模块中使用的控制芯片的示意性平面图；

图2为用于说明优选地在第一实施例至第四实施例的半导体器件和半导体器件模块中使用的GaN芯片实例的示意性纵向剖视图；

图3为用于说明优选地在第一实施例至第四实施例的半导体器件和半导体器件模块中使用的GaN芯片另一个实例的示意性纵向剖视图；

图4为用于说明第一实施例的半导体器件和半导体器件模块的示意性纵向剖视图；

图5为用于说明第二实施例的半导体器件和半导体器件模块的示意性纵向剖视图；