[发明专利]一种测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201310151381.9 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104124230B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 方法 | ||
1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括N个并联的CMOS反相器，每个所述CMOS反相器包括PMOS和NMOS；其中，所述N个并联的CMOS反相器中的各个PMOS的源极相连、各个NMOS的漏极均接地，每个所述CMOS反相器的输入端与自身的输出端相连，各所述CMOS反相器中的PMOS的布局相同、NMOS的布局不同，或者各所述CMOS反相器中的NMOS的布局相同、PMOS的布局不同；并且，N为大于等于2的自然数。
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在每个所述CMOS反相器中，PMOS的栅极与NMOS的栅极相连作为所述CMOS反相器的输入端，PMOS的漏极与NMOS的源极相连作为反相器的输出端。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，各所述CMOS反相器的PMOS的源极相连，用于施加工作电压。
4.如权利要求1至3任一项所述的测试结构，其特征在于，在所述测试结构中，所述N个CMOS反相器中的一个在半导体器件失配测试时作为其他CMOS反相器的参考CMOS反相器。
5.一种测试方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S101：提供包括权利要求1至4任一项所述的测试结构的半导体器件；
步骤S102：将所述N个CMOS反相器的PMOS的源极连接至工作电压，并将所述N个CMOS反相器的NMOS的漏极接地；
步骤S103：测量各个所述CMOS反相器的输出电压；
步骤S104：根据各个所述CMOS反相器的所述输出电压，分析所述半导体器件的失配情况。
6.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述半导体器件的失配情况是指半导体器件中的PMOS或NMOS的布局差异，包括：裸晶内变化、局部失配、冗余布局效应和布局临近效应。
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