[发明专利]低温电压补偿机制在审
申请号: | 201310152463.5 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN104104076A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 李长恩 | 申请(专利权)人: | 亚荣源科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518115 广东省深圳市龙岗区横岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 电压 补偿 机制 | ||
1.一种低温电压补偿机制,其特征在于包括有:
一电压源,是提供一供电电压;
一分压电阻;
一热敏电阻,其是与该分压电阻耦接形成串联态样,并在耦接处定义为一节点,且形成串联态样之该分压电阻及该热敏电阻与该电压源为形成并联态样;
一保护电阻;以及
一控制单元,其是与该保护电阻耦接形成串联态样,并耦接于该节点,且形成串联态样之该保护电阻及该控制单元与该电压源为形成并联态样。
2.如权利要求1所述的低温电压补偿机制,其中该热敏电阻为负温度系数热敏电阻,该电压源依次透过该分压电阻及该热敏电阻接地。
3.如权利要求1所述的低温电压补偿机制,其中该热敏电阻为正温度系数热敏电阻,该电压源依次透过该热敏电阻及该分压电阻接地。
4.如权利要求2或3所述的低温电压补偿机制,其中该节点之电压大于一预设电压值时,该控制单元将被触发使该保护电阻形成电路导通状态。
5.如权利要求4所述的低温电压补偿机制,其中该控制单元是为MOSFET。
6.一种低温电压补偿机制,其特征在于包括有:
一电压源,是提供一供电电压;
一第一热敏电阻;
一第二热敏电阻,其是与该第一热敏电阻耦接形成串联态样,并在耦接处定义为一节点,且形成串联态样之该第一热敏电阻及该第二热敏电阻与该电压源为形成并联态样;
一保护电阻;以及
一控制单元,其是与该保护电阻耦接形成串联态样,并耦接于该节点,且形成串联态样之该保护电阻及该控制单元与该电压源为形成并联态样。
7.如权利要求6所述的低温电压补偿机制,其中该第一热敏电阻为正温度系数热敏电阻,而该第二热敏电阻为负温度系数热敏电阻,该电压源依次透过该第一热敏电阻及该第二热敏电阻接地。
8.如权利要求7所述的低温电压补偿机制,其中该节点之电压大于一预设电压值时,该控制单元将被触发使该保护电阻形成电路导通状态。
9.如权利要求8所述的低温电压补偿机制,其中该控制单元是为MOSFET。
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