[发明专利]一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构，包括基板和依次叠加在基板1上的反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极及薄膜封装层，其特征在于：还包括封装缓冲层，所属封装缓冲层设置于半透明阴极与薄膜封装层之间。

2.根据权利要求1所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述封装缓冲层为发红光、绿光、蓝光或黄光的有机小分子类荧光发光材料。

3.根据权利要求2所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发红光的荧光发光材料为香豆素、芳香族化合物及其衍生物。

4.根据权利要求3所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发红光的荧光发光材料为DCJ、DCJT、DCJTB、ER-53，DCM、TDCM、TIN、MBIN、DCM2、Rubrene、DCJTI、(PPA)(PSA)Pe、ACEN1、ACEN2、ACEN3、ACEN4、D-CN、NPAFN、BSN、BZTA2、BZTA2，TPZ、NPAMLMe、DPP、PAAA、Asym-TPP和DMPDPP、DBP。

5.根据权利要求2所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发绿光的荧光发光材料为香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、多环芳香族碳氢化合物及其衍生物、1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline类的绿光荧光掺杂物。

6.根据权利要求5所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发绿光的荧光发光材料为TPBA、QA、DMQA、DEQ、PAH、PAQ-Net。

7.根据权利要求2所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发蓝光的荧光发光材料为TBP、TPP、DSA、DSA-Ph、BD-1、BD-2、BD-3。

8.根据权利要求2所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发黄光的荧光发光材料为DCJP、Rrubrene、DPPO。

9.根据权利要求1所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述封装缓冲层的厚度为1-10nm。

10.权利要求1-9任一项权利要求所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1采用热蒸镀法将反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极依次制备至基板上；

步骤2在镀好的半透明阴极上采用热蒸镀法制备封装缓冲层；

步骤3采用等离子化学气相沉积法在封装缓冲层上制备一层聚合物薄膜封装层；

步骤4采用低功率溅射法在聚合物封装层上制备一层无机化合物薄膜封装层，一层聚合物薄膜封装层与一层无机化合物薄膜封装层一起构成一层薄膜封装层；

步骤5将步骤3-4重复1至10次，完成封装。