[发明专利]具有密度梯度平滑的MOS阵列边缘的布局

权利要求书

1.一种用于半导体器件阵列的多阶梯密度梯度平滑的方法，包括：

将多个单位单元配置为阵列，各个单位单元均具有一部件密度；

在所述阵列的外围的至少一部分的外侧，将多个第一密度梯度单元配置为第一边缘子阵列，各个第一密度梯度单元的部件密度均小于所述单位单元的部件密度；以及

在所述第一边缘子阵列的外围的至少一部分的外侧，将多个第二密度梯度单元配置为第二边缘子阵列，各个第二密度梯度单元的部件密度均小于所述第一密度梯度单元的部件密度。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：在所述第二边缘子阵列的外围的至少一部分的外侧配置背景电路，所述背景电路的部件密度小于所述第二密度梯度单元的部件密度。

3.根据权利要求2所述的方法，包括：将所述第二密度梯度单元的部件密度构造为所述第一密度梯度单元的部件密度和所述背景电路的部件密度的平均值。

4.根据权利要求2所述的方法，包括：将所述第二边缘子阵列的部件密度构造为所述第一边缘子阵列的部件密度和所述背景电路的部件密度的平均值。

5.根据权利要求1所述的方法，包括：将所述第一密度梯度单元的部件密度构造为所述单位单元的部件密度和所述第二密度梯度单元的部件密度的平均值。

6.根据权利要求1所述的方法，包括：将所述第一边缘子阵列的部件密度构造为所述阵列的部件密度和所述第二边缘子阵列的部件密度的平均值。

7.根据权利要求1所述的方法，包括：将所述部件密度定义为总氧化物面积除以所述半导体器件阵列的总布局面积。

8.根据权利要求1所述的方法，包括：将所述部件密度定义为总栅极材料面积除以所述半导体器件阵列的总布局面积。

9.一种半导体器件装置，包括：

由多个单位单元组成的阵列，各个单位单元均具有一部件密度；

由多个第一密度梯度单元组成的第一边缘子阵列，所述多个第一密度梯度单元形成所述阵列的外围的至少一部分的外侧的边界，各个第一密度梯度单元的部件密度均小于所述单位单元的部件密度；以及

由多个第二密度梯度单元组成的第二边缘子阵列，所述多个第二密度梯度单元形成所述第一边缘子阵列的外围的至少一部分的外侧的边界，各个第二密度梯度单元的部件密度均小于所述第一密度梯度单元的部件密度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件装置，其中，所述单位单元包括存储单位单元。

11.根据权利要求9所述的半导体器件装置，其中，所述第一边缘子阵列和所述第二边缘子阵列沿着所述阵列的一条或多条边界形成线形边缘子阵列。

12.根据权利要求9所述的半导体器件装置，其中：

所述第一边缘子阵列围绕所述阵列的外围；以及

所述第二边缘子阵列围绕所述第一边缘子阵列的外围。

13.一种半导体存储器件装置，包括：

由多个存储单位单元组成的阵列，各个存储单位单元的第一部件密度为总氧化物面积除以所述阵列的总布局面积、或者总栅极材料面积除以所述阵列的总布局面积，所述第一部件密度表明所述阵列内的图案一致性；

由多个第一密度梯度单元组成的第一边缘子阵列，所述多个第一密度梯度单元形成所述阵列的外围的至少一部分的外侧的边界，各个第一密度梯度单元的第二部件密度均小于所述第一部件密度；以及

由多个第二密度梯度单元组成的第二边缘子阵列，所述多个第二密度梯度单元形成所述第一边缘子阵列的外围的至少一部分的外侧的边界，各个第二密度梯度单元的第三部件密度均小于所述第一密度梯度单元的所述第二部件密度。