[发明专利]控制器

权利要求书

1.一种控制器，其中，具备：

译码器，其从非易失性半导体存储器输入第1读出数据，按照第1表将所述第1读出数据转换成第1似然度信息，得到通过利用所述第1似然度信息进行译码而译码了的第1ECC帧，所述第1读出数据表示形成第1ECC帧的多个比特的各个的读出电压等级；

生成部，其基于所述第1读出数据和所述译码了的第1ECC帧，按形成所述译码了的第1ECC帧的每个比特，对正确比特值与读出电压等级的组合的出现次数进行计数，从而生成信道矩阵；和

作成部，其基于所述信道矩阵以统计方式算出每个读出电压等级的正确比特值的似然度，从而作成第2表。

2.根据权利要求1所述的控制器，其中，

所述译码器，从所述非易失性半导体存储器输入第2读出数据，按照所述第2表将所述第2读出数据转换成第2似然度信息，得到通过利用所述第2似然度信息进行译码而译码了的第2ECC帧，所述第2读出数据表示形成不同于所述第1ECC帧的第2ECC帧的多个比特的各个的读出电压等级。

3.根据权利要求2所述的控制器，其中，

所述第1ECC帧存储在与所述第2ECC帧相同的页中。

4.根据权利要求2所述的控制器，其中，

所述第1ECC帧存储在与所述第2ECC帧相同的区块中。

5.根据权利要求2所述的控制器，其中，

所述第1ECC帧存储在与所述第2ECC帧相同的字线中。

6.根据权利要求1所述的控制器，其中，

所述译码器，在与所述第1ECC帧不同的第2ECC帧的译码失败时，从所述非易失性半导体存储器输入所述第1读出数据，按照所述第1表将所述第1读出数据转换成所述第1似然度信息，得到通过利用所述第1似然度信息进行译码而译码了的第1ECC帧。

7.根据权利要求1所述的控制器，其中，

所述译码器，在与所述第1ECC帧不同的第2ECC帧的存储区域中的W/E次数达到阈值时，从所述非易失性半导体存储器输入所述第1读出数据，按照所述第1表将所述第1读出数据转换成所述第1似然度信息，得到通过利用所述第1似然度信息进行译码而译码了的第1ECC帧。

8.根据权利要求1所述的控制器，其中，

所述译码器，在对于不同于所述第1ECC帧的第2ECC帧的存储区域执行阈值电压跟踪时，从所述非易失性半导体存储器输入所述第1读出数据，按照所述第1表将所述第1读出数据转换成所述第1似然度信息，得到通过利用所述第1似然度信息进行译码而译码了的第1ECC帧。

9.根据权利要求1所述的控制器，其中，

所述作成部按固件安装。

10.一种控制器，其中，具备：

生成部，其从非易失性半导体存储器输入第1读出数据，基于所述第1读出数据与第1ECC帧，按形成所述第1ECC帧的每个比特对正确比特值与读出电压等级的组合的出现次数进行计数，从而生成信道矩阵，所述第1读出数据表示形成作为比特值为已知的数据的所述第1ECC帧的多个比特的各个的读出电压等级；和

作成部，其基于所述信道矩阵以统计方式算出每个读出电压等级的正确比特值的似然度，从而作成第1表。

11.根据权利要求10所述的控制器，其中，

还具备译码器，该译码器从所述非易失性半导体存储器输入第2读出数据，按照所述第1表将所述第2读出数据转换成第1似然度信息，得到通过利用所述第1似然度信息进行译码而译码了的第2ECC帧，所述第2读出数据表示形成不同于所述第1ECC帧的第2ECC帧的多个比特的各个的读出电压等级。