[发明专利]克林霉素磷酸酯的精制方法有效
申请号: | 201310155654.7 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103772454A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 史海峰;盛晓霞;陈凯 | 申请(专利权)人: | 杭州领业医药科技有限公司 |
主分类号: | C07H15/16 | 分类号: | C07H15/16;C07H1/06 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 刘锋 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 霉素 磷酸酯 精制 方法 | ||
技术领域
本发明为药物结晶技术领域,具体而言,涉及一种克林霉素磷酸酯的精制方法。
背景技术
克林霉素为抗生素类药物,是林可霉素的衍生物,主要用来对抗各种感染性疾病。药用主要为克林霉素磷酸酯。
克林霉素磷酸酯化学名称为:(2S-反式)-6-(1-甲基-4-丙基-2-吡咯烷碳酸胺基)-1-硫代-甲基-7-氯-6,7,8-三脱氧-L-苏式-α-D-半乳糖吡喃糖苷-2-二氢磷酸酯,分子式为C18H34ClN2O8PS,分子量为505,其结构式为:
目前关于克林霉素磷酸酯产品的主要问题是其溶解度较低,溶解速度较慢。EP(欧洲药典)与JP(日本药典)中对克林霉素磷酸酯的溶解度要求为100mg/mL,该产品可应用于粉针制剂,因此对溶解速度也有一定的要求。有关专利文献报道的克林霉素磷酸酯的精制方法有降温结晶法、蒸发结晶法以及抗溶剂结晶法等,但并未说明对其产品的溶解度及溶解速度有较大改善。
专利CN101928307A中以正丁醇和水做溶剂,用降温结晶法得到产品,中间需要经过浓缩及程序性降温等,其工艺耗时较久,且工艺繁琐。
专利CN101439022A中用水和乙醇混合,利用降温结晶法得到产品,其工艺过程简单,但干燥过程繁琐,需经6步或4步干燥,其产品在浓度约为74mg/mL时,经振摇用时20s可溶清,但该文献并未指明其产品是否达到EP与JP要求。
专利CN101838298A中用的是蒸发结晶法,所用溶剂为水、正丁醇和二甲亚砜,其工艺耗时为7天,时间过久,且所得产品为溶剂化物。
专利CN101838297A中的方法为抗溶剂结晶法,所用溶剂为水、低级醇和低级酮,结晶工艺简单,但其溶剂倍数稍高,约60倍,该专利目的是制备晶型Ⅱ,对产品的其他性质并无关注。
发明内容
针对现有技术中存在的上述不足,本发明做出了很大的改善,并主要解决了克林霉素磷酸酯产品溶解度低的问题。本发明使用的工艺方法简单,溶剂倍数较合理,工艺耗时短,最后的干燥处理相对简单,所得产品流动性好,松密度高,最主要的是明显提高了产品的溶解度,达到100mg/mL以上,且溶解速度快,且收率在88%及以上。
本发明目的是通过如下技术方案实现的:
一种克林霉素磷酸酯的精制方法,包括如下步骤:将克林霉素磷酸酯加水后升温溶解,滴加入乙醇中,有明显析晶后保温养晶,过滤、干燥。
作为进一步优化的方案,
加水溶解时,所用水的体积为克林霉素磷酸酯质量的4-8倍,优选为5-7倍,更优选为6倍。
升温溶解步骤中,溶解温度为60℃-85℃。
乙醇温度为-5-30℃,优选为0-5℃,可以用盐浴控温。滴加时对滴加速度无具体要求,以不造成体系温度明显波动为宜,如果温度波动较大会对晶体的形貌产生一定的影响,进而影响产品的性质,滴加时对体系加搅拌。乙醇与水的体积比为3:1-5:1,优选为4:1。
保温养晶的温度为-5-30℃,优选为0-5℃。
保温养晶的时间为1.5-3h,优选为1.5-2h。
过滤步骤为:将过滤后的滤饼用适量的体积百分比为75-83%冰乙醇进行洗涤。
干燥步骤为:第一步用50-60℃真空干燥,时间为5h-12h,第二步用70-90℃鼓风干燥,但鼓动的空气要先经过干燥,干燥用时3h-6h,或者第二步用真空旋蒸,温度为55℃-80℃,时间为6h以上。
更进一步优选的方案中,
在加水升温溶解后,如果未溶清,则将溶液降温至40℃以下,进行过滤,优选为10-30℃。
滴加入乙醇中的步骤中,在滴加的最后或滴加完后的一段时间内溶液会析晶,如果未析晶可加入少量晶种诱导,晶种可以是克林霉素磷酸酯粗品,也可以是精制后的产品。
本发明内容所述克林霉素磷酸酯的精制方法溶剂倍数约为20-50倍,整个过程操作简单,最高温度不超过90℃,避免了过高的温度对产品的破坏,根据本方法所得到的克林霉素磷酸酯产品溶解度大于100mg/mL,达到了EP与JP中对克林霉素磷酸酯的溶解度要求,且溶解速度较快,同时溶残较低,且流动性好,松密度较高,收率也较高。
附图说明
图1为实施例5产品与对比例1-2产品溶解度相比较的柱状图。
图2为实施例5中产品的TGA失重图。
图3为实施例5产品在200倍偏振光显微镜下晶体形貌。
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