[发明专利]一种可调光的LED恒流驱动电路有效

专利信息
申请号: 201310158126.7 申请日: 2013-05-02
公开(公告)号: CN104135788A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 朱方杰;唐红祥 申请(专利权)人: 无锡华润华晶微电子有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 唐立;朱海煜
地址: 214028 江苏省无锡市国*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 调光 led 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种可调光的LED恒流驱动电路,其用于驱动控制包括多个串联耦接的LED的LED光源部分,其特征在于,所述LED光源部分被划分为依次串联耦接的第一组LED至第M组LED, M为大于或等于2的整数;所述LED恒流驱动电路包括:

可控硅调光器;

整流桥,其正向输出端耦接于第一组LED输入端,其负向输出端耦接于第M组LED的输出端;以及

(M+1)个N沟道耗尽型MOS管,其包括第一耗尽型MOS管至第(M+1)耗尽型MOS管;

其中,(M+1)个N沟道耗尽型MOS管的栅极与所述整流桥模块的负向输出端耦接;

第一耗尽型MOS管用于在所述整流桥的正向输出端的输出电压低于第一组LED的工作电压时以第一恒流值为所述可控硅调光器提供维持电流并使所述LED光源部分短路;

第X耗尽型MOS管用于在所述整流桥的正向输出端的输出电压大于或等于第1组LED至第(X-1)组LED的工作电压时以第二恒流值驱动第1组LED至第(X-1)组LED工作并使第X组LED至第M组LED短路,2≤X≤(M+1);

所述第一恒流值小于第二恒流值。

2.如权利要求1所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述N沟道耗尽型MOS管的漏极与所述LED光源部分耦接,所述第一耗尽型MOS管至所述第M耗尽型MOS管的源极分别串联设置有若干用于提升其源极相对其栅极的电位的升压元件,以使所述第X耗尽型MOS管导通时,所述第一耗尽型MOS管至第(X-1)耗尽型MOS管截止。

3.如权利要求2所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述升压元件为第一二极管,所述第一二极管的正极与所述N沟道耗尽型MOS管的源端耦接,所述第一二极管的负极与所述整流桥模块的负向输出端耦接。

4.如权利要求1或2所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述第一耗尽型MOS管至所述第M耗尽型MOS管分别所对应设置的升压元件的数量依次减少。

5.如权利要求1所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述第一耗尽型MOS管的源极串联地耦接于第一恒流二极管以使所述第一耗尽型MOS管导通时以所述第一恒流值工作。

6.如权利要求1或5所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述第X耗尽型MOS管的源极串联地耦接第二恒流二极管以使所述第X耗尽型MOS管导通时以所述第二恒流值工作。

7.如权利要求1所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述第一耗尽型MOS管的源极串联地耦接于第一限流电阻以使所述第一耗尽型MOS管导通时以所述第一恒流值工作。

8.如权利要求1或7所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述第X耗尽型MOS管的源极串联地耦接第二限流电阻以使所述第X耗尽型MOS管导通时以所述第二恒流值工作。

9.如权利要求1所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述第一耗尽型MOS管至第(M+1)耗尽型MOS管为型号相同的N沟道耗尽型MOS管,并且具有相同的阈值电压。

10.如权利要求1所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述第一耗尽型MOS管至第(M+1)耗尽型MOS管的栅极分别通过第一电阻至第(M+1)电阻与所述整流桥模块的负向输出端耦接。

11.如权利要求1所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述第一组LED至第M组LED中的每组LED分别与一滤波电容并联。

12.如权利要求11所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,每个所述滤波电容对应设置一第二二极管,以防止所述滤波电容反冲放电。

13.如权利要求1所述的LED恒流驱动电路,其特征在于,所述光源部分的多个LED为高压LED。

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