[发明专利]一种可调光的LED恒流驱动电路

说明书

技术领域

本发明属于LED（Light-Emitting Diode，发光二极管）驱动电路技术领域，涉及可调光的LED恒流驱动电路。

背景技术

随着LED照明技术的不断发展与普及，人们不断追求高发光效率、低成本的LED照明装置，并且，为LED提供电源的驱动电路成为技术的焦点之一。

一般地，需要对LED电光源部分进行可调光控制，通常采用的调光装置按其原理可以分为幅值调光（例如可变电阻调光、自耦调压器调光）和相位调光两种，其中，采用相位调光原理的可控硅调光器被广泛应用于LED的驱动电路，以实现其调光控制。

现有技术中，为兼容可控硅调光控制器，驱动电路中均采用各类IC控制的开关电源的电路方案，通常地，其电路复杂、成本较高（由于采用了IC），发光效率也相对较低；并且，IC控制的开关电压工作在高频状态，因而导致驱动电路的电磁兼容性差。

发明内容

本发明的目的之一在于，实现对LED光源部分的恒流驱动并兼容可控硅调光器的调光控制。

本发明的又一目的在于，简化LED驱动电路的电路结构并减低其成本。

本发明的还一目的在于，提高LED光源部分的发光效率。

为实现以上目的或者其他目的，本发明提供一种可调光的LED恒流驱动电路，其用于驱动控制包括多个串联耦接的LED的LED光源部分，所述LED光源部分被划分为依次串联耦接的第一组LED至第M组LED， M为大于或等于2的整数；所述LED恒流驱动电路包括：

可控硅调光器；

整流桥，其正向输出端耦接于第一组LED输入端，其负向输出端耦接于第M组LED的输出端；以及

（M+1）个N沟道耗尽型MOS管，其包括第一耗尽型MOS管至第（M+1）耗尽型MOS管；

其中，（M+1）个N沟道耗尽型MOS管的栅极与所述整流桥模块的负向输出端耦接；

第一耗尽型MOS管用于在所述整流桥的正向输出端的输出电压低于第一组LED的工作电压时以第一恒流值为所述可控硅调光器提供维持电流并使所述LED光源部分短路；

第X耗尽型MOS管用于在所述整流桥的正向输出端的输出电压大于或等于第1组LED至第（X-1）组LED的工作电压时以第二恒流值驱动第1组LED至第（X-1）组LED工作并使第X组LED至第M组LED短路，2≤X≤（M+1）；

所述第一恒流值小于第二恒流值。

按照本发明一实施例的LED恒流驱动电路，其中，所述N沟道耗尽型MOS管的漏极与所述LED光源部分耦接，所述第一耗尽型MOS管至所述第M耗尽型MOS管的源极分别串联设置有若干用于提升其源极相对其栅极的电位的升压元件，以使所述第X耗尽型MOS管导通时，所述第一耗尽型MOS管至第（X-1）耗尽型MOS管截止。

具体地，所述升压元件可以为第一二极管，所述第一二极管的正极与所述N沟道耗尽型MOS管的源端耦接，所述第一二极管的负极与所述整流桥模块的负向输出端耦接。

具体地，所述第一耗尽型MOS管至所述第M耗尽型MOS管分别所对应设置的升压元件的数量依次减少。

按照本发明又一实施例的LED恒流驱动电路，其中，所述第一耗尽型MOS管的源极串联地耦接于第一恒流二极管以使所述第一耗尽型MOS管导通时以所述第一恒流值工作。

进一步地，所述第X耗尽型MOS管的源极串联地耦接第二恒流二极管以使所述第X耗尽型MOS管导通时以所述第二恒流值工作。

按照本发明还一实施例的LED恒流驱动电路，其中，所述第一耗尽型MOS管的源极串联地耦接于第一限流电阻以使所述第一耗尽型MOS管导通时以所述第一恒流值工作。

进一步地，所述第X耗尽型MOS管的源极串联地耦接第二限流电阻以使所述第X耗尽型MOS管导通时以所述第二恒流值工作。

在之前所述任一实施例的LED恒流驱动电路中，优选地，所述第一耗尽型MOS管至第（M+1）耗尽型MOS管为型号相同的N沟道耗尽型MOS管，并且具有相同的阈值电压。

在之前所述任一实施例的LED恒流驱动电路中，优选地，所述第一耗尽型MOS管至第（M+1）耗尽型MOS管的栅极分别通过第一电阻至第（M+1）电阻与所述整流桥模块的负向输出端耦接。

在之前所述任一实施例的LED恒流驱动电路中，优选地，所述第一组LED至第M组LED中的每组LED分别与一滤波电容并联。