[发明专利]用于制造芯片封装件的方法

权利要求书

1.一种用于制造芯片封装件的方法，所述方法包括：

将多个晶圆设置在载体之上；

在所述载体之上沉积封装材料，其中，所述多个晶圆由所述封装材料覆盖，从而形成包括所述封装材料和所述多个晶圆的结构；以及

去除封装材料，从而形成所述结构的薄化部分以及所述结构的包括比所述薄化部分更厚的封装材料的另外部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

将所述多个晶圆设置在所述载体之上包括：

将所述多个晶圆设置在所述载体之上，其中，所述多个晶圆中的至少一部分设置成其正面位于所述载体之上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

将所述多个晶圆设置在所述载体之上包括：

将所述多个晶圆设置在所述载体之上，其中，所述多个晶圆中的至少一部分设置成其背面位于所述载体之上。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将多个导电模块设置在所述载体之上，其中，所述多个晶圆中的至少一个晶圆设置成与所述多个导电模块中的至少一个导电模块相邻。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

沉积所述封装材料，其中，所述多个导电模块由所述封装材料覆盖，从而形成包括所述封装材料、所述多个晶圆以及所述多个导电模块的结构。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

从所述载体中释放所述结构；以及

将电绝缘层和导电材料沉积在所述多个晶圆的侧部上，其中，所述导电材料与所述多个晶圆中的至少一个晶圆接触。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

从所述载体中释放所述结构；以及

将电绝缘层沉积在所述多个晶圆的侧部上；

在所述多个晶圆中的至少一个晶圆的所述侧部上，在所述电绝缘层内形成一个或多个通孔；以及

在所述电绝缘层上并且在所述一个或多个通孔内沉积与所述至少一个晶圆电接触的导电材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

在所述电绝缘层上并且在所述一个或多个通孔内沉积与所述多个晶圆中的所述至少一个晶圆电接触的导电材料包括：

在所述电绝缘层上并且在所述一个或多个通孔内沉积导电材料，其中，所述导电材料与所述至少一个晶圆的正面之上形成的一个或多个电焊盘电接触。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

选择性去除所述导电材料的一个或多个部分。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，

在所述多个晶圆的侧部上沉积电绝缘层和导电材料，其中，所述导电材料与所述多个晶圆中的至少一个晶圆接触包括：

在所述多个晶圆的侧部上沉积电绝缘层和导电材料，其中，所述导电材料与所述多个晶圆中的至少一个晶圆和至少一个导电模块接触。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，

沉积封装材料包括：

沉积封装材料，所述封装材料包括以下材料组中的至少一种材料，所述组包括：填充或未填充的环氧树脂、预浸渍的复合纤维、加强纤维、层压板、模制材料、热固性材料、热塑性材料、填充粒子、纤维增强的层压板、纤维增强的聚合物层压板、具有填充粒子的纤维增强的聚合物层压板。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

沉积封装材料包括：

在所述多个晶圆的一个或多个侧壁上并且在所述多个晶圆之间沉积封装材料。

13.根据权利要求4所述的方法，其中，

沉积所述封装材料包括：

在所述至少一个晶圆和所述至少一个导电模块之间沉积封装材料。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，

去除封装材料从而形成所述结构的薄化部分以及所述结构的包括比所述薄化部分更厚的封装材料的另外部分包括：

从所述结构的与设置在所述载体之上的所述多个晶圆的侧部相反的侧部，使所述封装材料以及所述晶圆的一部分薄化。