[发明专利]用于制造芯片封装件的方法

说明书

技术领域

各实施例大致涉及用于制造芯片封装件的方法。

背景技术

由于其尺寸，处理非常薄的芯片（例如，厚度小于100μm的芯片）具有挑战性。目前，制造晶片级电子电路，例如，可在晶片上执行前端工艺。晶片可具有至少一种规定的厚度，并且根据直径，可由昂贵的载体系统进行处理。随后，可进行薄化，并且可在晶片背面上提供焊接材料。目前，在生产电子元件（例如，功率电子设备）的过程中，薄芯片可在背面进行金属化，并且可需要一个特别的锯切工艺。

背面进行金属化的薄芯片必须分离，例如，单独处理。随后可在连续的取放过程内，将薄芯片顺序地放置在插入器上，并且在高压和高温下进行焊接。薄芯片可在极高温度（例如，大于300℃的温度）下利用惰性气体而焊接在插入器上。焊接非常薄的芯片，因此限制了产量并且在薄芯片上施加较高应力，例如，高压和高温。

在晶片变得更薄时，由于弯曲和/或偏转，现有方法（例如，现有生产和/制造方法）给芯片处理带来较大的成本，并且限制了载体的尺寸。载体系统可限制进一步的背面处理的处理温度，例如，焊接、固化或任何其他回流工艺。必须在背面具有厚金属的情况下，锯切薄晶片，例如，薄硅片。而且，需要从锯切箔中挑出薄芯片，并且可能需要使用紫外线UV箔。通过处理薄晶片和芯片，例如，对极薄的晶片和芯片进行背面金属化、锯切、芯片接合等等，可带来较高的成本和成品率损失。

发明内容

各实施例提供了一种用于制造芯片封装件的方法，所述方法包括：将多个晶圆设置在载体之上；在所述载体之上沉积封装材料，其中，所述多个晶圆由所述封装材料覆盖，从而形成包括所述封装材料和所述多个晶圆的结构；以及去除封装材料，从而形成所述结构的薄化部分以及所述结构的另外部分，该另外部分包括比所述薄化部分更厚的封装材料。

附图说明

在附图中，在所有各示图中，相似参考标号通常表示相同部件。附图不必按比例绘出，而通常是，重点示出本发明的原理。在以下描述中，参看以下附图，描述本发明的各实施例，其中：

图1示出了根据一个实施例的用于制造芯片封装件的方法；

图2A到2I示出了根据实施例的用于制造芯片封装件的方法；

图3示出了根据实施例的芯片封装件的部件；

图4A到4D示出了根据各实施例的用于制造芯片封装件的方法；

图5A到5E示出了根据各实施例的用于制造芯片封装件的方法；

图6示出了根据一个实施例的用于制造芯片封装件的方法。

具体实施方式

以下详细描述参考了附图，附图通过图示方式示出了具体细节和实施例，通过这些可实践本发明。

用语“示例性”在本文中用于表示“用作一个实例、示例或例证”。在本文中描述为“示例性”的任何实施例或设计不必理解为优选于或优于其他实施例或设计。

在一侧或表面“之上”形成的沉积材料中的用语“之上”，在本文中可用于表示，沉积材料可“直接”在所指的侧或表面上形成，即，沉积材料与所指的侧或表面直接接触。在一侧或表面“之上”形成的沉积材料中的用语“之上”在本文中还可用于表示，沉积材料可“间接”在所指的侧或表面上形成，其中一个或多个额外的层被布置在所指的侧部或表面与沉积材料之间。

各实施例提供了一种用于制造芯片封装件的方法，用于超薄（厚度小于100μm）的芯片，用于薄化芯片，例如，壳体内的功率半导体并且通过电流方法构成互连。

各实施例提供了一种用于制造芯片封装件的方法，其避免了单独处理超薄芯片，而是在封装材料内实现芯片时，将晶片级芯片薄化。

各实施例提供了一种用于制造芯片封装件的方法，其中，芯片和封装件（即，封装材料）可变薄，同时可保持晶片级封装载体（例如，封装材料）所需要的刚度。

图1示出了根据实施例的用于制造芯片封装件的方法100。方法100可包括：

将多个晶圆设置在载体之上（在110）；

在载体之上沉积封装材料，其中，所述多个晶圆由封装材料覆盖，从而形成包括封装材料和多个晶圆的结构（在120）；以及

去除封装材料，从而形成该结构的薄化部分以及该结构的另外部分，所述另外部分包括比薄化部分更厚的封装材料（在130）。

图2A到2I示出了根据实施例的用于制造芯片封装件的方法200。方法200可包括参照方法100已经描述的所有过程中的一个或多个。