[发明专利]硅释放工艺有效
| 申请号： | 201310160533.1 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN104134611B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 章安娜 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 释放 工艺 | ||
1.一种硅释放工艺，其特征在于，通过干法深槽刻蚀设备实现，包括如下步骤：
提供需要进行硅释放的器件，并在所述器件需要进行硅释放的位置覆盖掩模；
在刻蚀气体的气氛下，对所述器件进行刻蚀工艺；
在保护气体的气氛下，对所述器件进行沉积工艺；
重复刻蚀工艺和沉积工艺，直至器件底部的硅完全释放干净，完成所述硅释放工艺；
所述刻蚀工艺中，通过控制所述刻蚀气体的上电极功率、所述刻蚀气体的上电极电压、所述刻蚀气体的下电极的功率、所述刻蚀气体的下电极的电压以及所述刻蚀气体的流量来调整硅释放的速率；
所述沉积工艺中，通过控制所述保护气体的上电极功率、所述保护气体的上电极电压、所述保护气体的下电极的功率、所述保护气体的下电极的电压以及所述保护气体的流量来调整硅释放的角度；
所述保护气体的上电极功率为所述干法深槽刻蚀设备的最大功率的1/3，所述保护气体的上电极电压为所述干法深槽刻蚀设备的最大电压的1/3，所述保护气体的下电极功率设置为0W～5W或所述保护气体的下电极电压设置为0V～5V；
所述刻蚀气体的上电极功率为所述干法深槽刻蚀设备的最大功率的最大值，所述刻蚀气体的上电极电压为所述干法深槽刻蚀设备的最大电压的最大值；
所述刻蚀气体的下电极功率设置为0W～5W或所述刻蚀气体的下电极电压设置为0V～5V；
单次的所述刻蚀工艺和单次的所述沉积工艺的时间比例设置为8:1；
所述刻蚀工艺中，SF6的流量为所述干法深槽刻蚀设备的最大流量的1/2；
所述保护气体为C4F8；所述沉积工艺中，C4F8的流量为10sccm～50sccm。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
