[发明专利]一种提高单壁碳纳米管产率的新方法

权利要求书

1.一种提高单壁碳纳米管产率的新方法，主要是基于浮动催化裂解法而实施，所述浮动催化裂解法包括：通过载气将碳源和催化剂带入高温反应区，并在选定温度下合成单壁碳纳米管；

其特征在于，所述新方法包括：将所述选定温度提高至1000-1400℃。

2.根据权利要求1所述的提高单壁碳纳米管产率的新方法，其特征在于，所述催化剂包括二茂铁或二茂镍。

3.根据权利要求1所述的提高单壁碳纳米管产率的新方法，其特征在于，所述碳源包括乙醇、甲醇、正己烷、苯、甲苯或甲烷。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的提高单壁碳纳米管产率的新方法，其特征在于，所述浮动催化裂解法包括：

通过载气将催化剂与碳源的混合物带入高温反应区，并在选定温度条件下合成单壁碳纳米管。

5.根据权利要求4所述的提高单壁碳纳米管产率的新方法，其特征在于，所述混合物中还掺有生长促进剂，所述生长促进剂包括噻吩、硫粉或含硫化合物。

6.根据权利要求5所述的提高单壁碳纳米管产率的新方法，其特征在于，

所述混合物包含如下组分：95~99 wt%碳源，0.1~2.5 wt%催化剂，0 ~2.5 wt%生长催进剂。

7.根据权利要求4所述的提高单壁碳纳米管产率的新方法，其特征在于，所述载气包括氮气、氩气或氢气，载气的流速为30-1800ml/min。

8.根据权利要求1所述的提高单壁碳纳米管产率的新方法，其特征在于，所述新方法包括：将所述选定温度提高至1200-1350℃。