[发明专利]一种抛晶砖及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310161895.2 申请日: 2013-05-03
公开(公告)号: CN103214273A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 丘云灵;周燕 申请(专利权)人: 广东东鹏陶瓷股份有限公司;广东东鹏控股股份有限公司;丰城市东鹏陶瓷有限公司;佛山市东鹏陶瓷有限公司
主分类号: C04B41/89 分类号: C04B41/89
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 528031 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 抛晶砖 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种抛晶砖的制备方法,其特征在于:步骤依次包括:

A.将陶瓷粉料压制形成素坯;

B.在素坯上布一层大颗粒的高温熔块;

C.再布小颗粒的低温有色熔块,低温有色熔块按设计要求形成图案;

D.布一层高温熔块;

E.烧制成形。

2.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法,其特征在于:所述大颗粒的高温有色熔块的粒度为6-30目。

3.根据权利要求2所述的抛晶砖的制备方法,其特征在于:所述大颗粒的高温有色熔块的始融温度为1080-1150℃。

4.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法,其特征在于:所述小颗粒的低温有色熔块的粒度为30-200目。

5.根据权利要求4所述的抛晶砖的制备方法,其特征在于:所述小颗粒的低温有色熔块的始融温度为1000-1080℃

6.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法,其特征在于:步骤B中高温有色熔块每平方米布2-2.5kg。

7.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法,其特征在于:步骤C中低温有色熔块每平方米布0.3-0.8kg。

8.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法,其特征在于:所述高温有色熔块和低温有色熔块的始融温度相差50-80℃。

9.根据权利要求1所述的抛晶砖的制备方法,其特征在于:步骤E中的烧成温度为1180-1250℃,烧成时间为80-100分钟。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的方法制成的抛晶砖。

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