[发明专利]一种增强可见光光电响应的锰掺杂二氧化钛薄膜的制备方法无效
申请号: | 201310163375.5 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN103280488A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 夏晓红;高云;郭美澜;王卓;邵国胜 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人: | 丁齐旭 |
地址: | 430062 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 可见光 光电 响应 掺杂 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种增强可见光光电响应的锰掺杂二氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于制备步骤如下:
1)、清洗衬底;将衬底放在丙酮、无水乙醇、去离子水中依次超声15min,并烘干,沉积薄膜前,对衬底进行反溅清洗15min;
2)、安装靶材;将纯度为99.999%的Ti靶安装于磁控溅射系统的直流靶位, 纯度为99.999%的Mn靶安装于磁控溅射系统的射频靶位,调节靶与衬底的距离为10~65mm;
3)、打开泵抽系统,当系统真空抽至1×10-5Pa后,将衬底加热至温度200~550℃,向腔室通入20sccm高纯度99.9999%的氩气和8~15sccm高纯度99.9999%的氧气,控制腔室压强为5~10mtorr,对靶材进行辉光清洗;
4)、清洗完成后,调节直流Ti靶的功率为300~380W,射频Mn靶的功率为0~105W,持续溅射3~10小时;
5)、沉积完成后,随炉冷却,从真空室将样品取出。
2.根据权利要求1所述的一种增强可见光光电响应的的锰掺杂氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于所述腔室气压调节至5mtorr,调节直流Ti靶的功率为378W,射频Mn靶的功率为105W,持续溅射3小时。
3.根据权利要求1或2所述的一种增强可见光光电响应的的锰掺杂氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于所述的衬底是硅片,或者是石英片,或者是FTO,或者是ITO。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的