[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

半导体基板，其具有第一导电类型；

在所述半导体基板的表面处或与所述半导体基板的表面相邻的发射层，该发射层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及

电极，其包括电连接到所述发射层的第一电极和电连接到所述半导体基板的第二电极，

其中，所述发射层包括与所述第一电极相邻的高浓度掺杂部分以及在不包括所述高浓度掺杂部分的区域中的低浓度掺杂部分，所述低浓度掺杂部分具有比所述高浓度掺杂部分的电阻高的电阻，

其中，所述高浓度掺杂部分包括具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的第二电阻的第二区域。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二区域位于所述第一区域的外部。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一电极的至少一部分接触所述第一区域。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一区域的所述第一电阻为30Ω/平方至70Ω/平方，所述第二区域的所述第二电阻为80Ω/平方至90Ω/平方。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述低浓度掺杂部分的电阻为100Ω/平方至120Ω/平方。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二区域具有比所述第一区域的掺杂深度大的掺杂深度。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二区域的宽度与所述第一区域的宽度之比为0.5至1.5。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一区域的宽度与所述第一电极的宽度之比为0.8至1.2。

9.一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在半导体基板处形成杂质层，

其中，形成所述杂质层的步骤包括以下步骤：

通过将杂质掺杂到所述半导体基板中来形成低浓度掺杂部分；以及

通过对形成在所述低浓度掺杂部分上方的玻璃组成层选择性地施加热来形成具有比所述低浓度掺杂部分的电阻低的电阻的高浓度掺杂部分，

其中，形成所述高浓度掺杂部分包括以下步骤：形成具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的电阻的第二区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述高浓度掺杂部分的步骤包括以下步骤：利用激光束照射所述玻璃组成层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述高浓度掺杂部分期间分别照射所述第一区域和所述第二区域的激光束具有不同的功率水平。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二区域包括分别布置在所述第一区域的相对侧的区域。

13.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述高浓度掺杂部分之后，去除所述玻璃组成层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG。

15.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在去除所述玻璃组成层之后，在所述杂质层上方形成绝缘层；

在所述绝缘层上方涂布电极组成层；

使所述电极组成层经受热处理；以及

使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述杂质层的电极，

其中，所述电极的至少一部分接触所述第一区域。